Патенты автора Посредник Олеся Валерьевна (RU)

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем

 


Наверх