Патенты автора Кутровская Стелла Владимировна (RU)
Изобретение относится к области создания анизотропных наноструктурированных пленок. Изобретение может быть использовано для создания новых элементов фотоники и оптоэлектроники. Способ аэрозольного распыления наночастиц в постоянном электрическом поле включает осаждение коллоидных наночастиц на твердые подложки в постоянном электрическом поле напряженностью 105-108 В/м, создаваемом между фокусирующей сеткой-катодом и нагреваемым металлическим основанием-анодом. Распыление на подложку проводится под давлением от 1 до 10 атм с покоординатным сканированием с заданной скоростью и расстоянием распыляющей форсунки - подложки с регулируемой за счет этого площадью покрытия и возможностью формирования тонкой пленки или слоистой структуры за счет многократного осаждения. Техническим результатом изобретения является контроль толщины получаемых пленок. 6 ил.
Изобретение относится к нанотехнологии, технике и энергетике, и может быть использовано при получении прозрачных материалов с металлической проводимостью или с полупроводниковыми свойствами. В проточную кювету помещают дистиллированную воду, содержащую предварительно сформированные аморфные микрочастицы шунгитного углерода и сферические золотые наночастицы размером 10 нм. Воздействуют лазерным излучением с длиной волны в ИК диапазоне, энергией 1 мкДж с длительностью импульса 100 нс при давлении до 5 атм. Полученные цепочки карбина, стабилизированные золотыми наночастицами, имеют длину от 100 до 1000 нм. Способ прост за счёт отсутствия использования специальной атмосферы. 3 ил.
Использование: для создания планарных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования планарных серебряных структур на поверхности кремниевых пластин включает осаждение металлических частиц, которое происходит за счет локальной диссоциации соли серебра, индуцированной при приложении отрицательной разницы потенциалов между проводящей иглой атомно-силового микроскопа и поверхностью образца, на которой происходит формирование рельефа, для этого поверхность кремниевой пластины предварительно очищают и насыщают солями серебра, после чего размещают на электропроводящей подложке, игла АСМ двигается с частотой от 0,16 до 1,12 Гц при разности потенциалов от -7 до -12 В, при комнатной температуре и нормальной влажности, что позволяет формировать рельеф с топологией заданной траекторией движении иглы с шириной от 40 до 200 нм, высотой от 2 до 40 нм. Технический результат - обеспечение возможности формирования рельефа из серебряных кластеров с контролируемой морфологией на поверхности кремниевых пластин. 4 ил.
Способ формирования металлуглеродных комплексов на основе наночастиц шунгита, золота и серебра // 2618484
Использование: для получения наноструктурированных металлуглеродных соединений. Сущность изобретения заключается в том, что коллоидный раствор золота, серебра смешивают с коллоидным раствором углерода (шунгита) в концентрации от 10 (углерод) : 1 (золото) : 1 (серебро) до 5 (углерод) : 3 (золото) : 3 (серебро) с последующим воздействием на смесь лазерного излучения (длительностью импульсов 100 нс, средней энергией от 5 до 20 Дж, частотой следования импульсов 20 кГц) в сканирующем режиме со скоростью от 100 мкм/с до 10 мм/с в течение 15 минут. Технический результат: обеспечение возможности получения наноструктурированных металлуглеродных соединений при изменении концентрации, времени и энергии воздействия. 5 ил.
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОЧАСТИЦ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА ИЗ КОЛЛОИДНЫХ РАСТВОРОВ // 2587537
Изобретение относится к области технологий осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца на прозрачные диэлектрические поверхности и может быть использовано при получении новых устройств на основе наносистем для микро- и оптоэлектроники, солнечных батарей, светодиодных ламп и других областей полупроводниковой техники. Техническим результатом является получение наноструктурированных тонких покрытий полупроводников структур из растворов на поверхности твердых тел с контролируемой морфологией осажденного слоя. Технический результат достигается тем, что в данном способе осаждение полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидного раствора осуществляется из капли раствора, которую наносят на поверхность, разогретую от 20°C до 200°C, с помощью капилляра от 0.1 до 1 мкм объемом до 200 мкл. 8 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к получению наноструктур на поверхности полупроводника. Способ модификации полупроводниковой пленки согласно изобретению заключается в том, что воздействуют на полупроводниковую пленку непрерывным лазерным излучением с энергией кванта превосходящей ширину запрещенной зоны в диапазоне мощности от 5 до 10 Вт, при диаметре лазерного пучка на поверхности пленки от 30 до 100 мкм, так чтобы интенсивность воздействия не превышала 106 Вт/см2, при сканировании поверхности пленки со скоростью от 40 до 160 мкм/с. Изобретение упрощает технический процесс, не требуется специального оборудования и позволяет охватывать устройства с характерным периодом расположения элементов на поверхности от 100 нм до 1 мкм.8 ил.
Изобретение относится к области технологии изготовления наночастиц и может быть использовано при получении новых материалов для микро- и оптоэлектроники, светодиодных ламп, силовой электроники и других областей полупроводниковой техники. Техническим результатом данного изобретения является уменьшение технологических этапов и отсутствие специального оборудования. Технический результат достигается тем, что в способе получения полупроводниковых наночастиц полупроводниковый образец (кристалл халькогенида свинца - PbTe, PbS, PbSe) помещают в инертную жидкую фазу (например, глицерин), лазерное излучение фокусируют со стороны раствора на границе раздела образец-жидкость с диаметром пятна от 50 мкм до 100 мкм, варьируя мощность в диапазоне от 4 Вт до 10 Вт без образования оптического пробоя. 2 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологии, в частности, может быть использовано в химической промышленности, электронике, медицине, машиностроении для изготовления пластмасс, компонентов топливных ячеек, аккумуляторов, суперконденсаторов, дисплеев, источников электронов, материалов для протезирования, а также в качестве компонента композиционных материалов, применяемых в авто- и/или авиастроении
Изобретение относится к области электротехники и нанотехнологии, в частности к производству материалов электронной техники и квантовой электроники, использующих технологию локализованного нанесения металлических слоев, либо наноструктур на поверхности различных типов для создания элементов и устройств
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР // 2407102
Изобретение относится к нанотехнологии и производству наноструктур
