Патенты автора Шутова Ольга Григорьевна (RU)
Изобретение относится к технологии обезвоживания растворителей, а именно к способу глубокой осушки толуола. Способ глубокой осушки толуола осуществляется в двух аппаратах колонного типа, работающих попеременно в режиме сорбции-регенерации, проводимых одновременно и непрерывно. Новым является то, что сорбцию проводят, пропуская осушаемый толуол через слой сорбента, в качестве которого используют цеолит синтетический NaA, со скоростью 12,5-32,5 м3/м2×ч при температуре 5-10°С до получения толуола с содержанием влаги не более 0,004 мас. %, а регенерацию отработанного сорбента проводят парами части осушенного толуола, взятого в количестве 0,9-1,6 об.%, при температуре 95-100°С, с последующей конденсацией и охлаждением смеси продуктов регенерации до 5-10°С для образования эмульсии, которую направляют в сепаратор для расслоения на составляющие компоненты толуол-вода с последующим выводом воды из процесса осушки толуола и возвратом толуола на повторную осушку совместно с исходным толуолом. Техническим результатом изобретения является организация процесса глубокой осушки толуола по непрерывной схеме, позволяющего повысить степень осушки толуола, увеличить его выход, производительность установки, а также сокращение количества осушенного толуола, необходимого для регенерации сорбента. 1 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области получения дейтеридов металлов для применения в качестве селективного восстановителя в органическом синтезе, для дейтерирования лекарственных препаратов с целью последующего использования в медицине и фармацевтике. Способ получения кристаллического литийалюминийдейтерида LiAlD4 включает взаимодействие дейтерида лития с хлоридом алюминия в среде диэтилового эфира в температурном интервале 10÷15°C при перемешивании диспергатором со скоростью 3500 об/мин в течение 30÷60 мин. Полученный осветленный раствор декантируют, добавляют к нему толуол в объемном соотношении диэтиловый эфир : толуол 1,5-1,33:1. Проводят кристаллизацию путем отгонки диэтилового эфира и нагрева до 90÷92°C. Выпавший осадок кристаллического литийалюминийдейтерида сушат под вакуумом при 60°C в течение 2 ч. Раствор хлорида алюминия предварительно готовят путем растворения AlCl3 в диэтиловом эфире при охлаждении до температуры 0 ÷ минус 5°C. Изобретение позволяет получить чистый крупнокристаллический литийалюминийдейтерид, увеличить его выход, снизить взрывопожароопасность процесса. 3 пр.
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Кристаллический литийалюминийгидрид получают взаимодействием гидрида лития с раствором хлорида алюминия в н-дибутиловом эфире в отсутствие затравки при температуре минус 18°С - минус 12°С. Полученный раствор перемешивают и отстаивают. Осветленный раствор литийалюминийгидрида декантируют, затем кристаллизуют постепенным нагреванием до 80°С. Выпавший осадок литийалюминийгидрида трижды промывают гексаном, а затем сушат при температуре 60°С под вакуумом в течение 2 часов. Предложенное изобретение позволяет получить высокочистый кристаллический литийалюминийгидрид с содержанием основного вещества 95-96%. 2 пр.
Изобретение относится к способу глубокой осушки толуола, осуществляемый в аппарате колонного типа - адсорбере, включающему пропускание исходного толуола через слой сорбента при охлаждении и регенерацию отработанного сорбента исходным толуолом при нагревании. Способ характеризуется тем, что процесс глубокой осушки ведут непрерывно в двух аппаратах колонного типа, работающих попеременно в режиме сорбции - регенерации, причем сорбцию - регенерацию проводят одновременно, при этом сорбцию осуществляют пропусканием толуола через слой сорбента со скоростью 10÷25 м3/м2×ч при температуре 5÷10°C до получения толуола с содержанием влаги не более 0,005 мас.%, при этом процесс регенерации отработанного сорбента проводят частью осушенного толуола, взятого в количестве 10÷15% и нагретого до 80÷90°C с последующим охлаждением смеси продуктов регенерации до 5÷10°C для образования эмульсии, причем полученную эмульсию направляют в сепаратор для расслоения на составляющие компоненты с последующим выводом воды и возвратом толуола на повторную осушку совместно с исходным толуолом. Предложенное изобретение позволяет организовать процесс глубокой осушки толуола по непрерывной схеме, упростить аппаратурное оформление процесса и тем самым снизить энергозатраты, сократить количество технологического оборудования и повысить выход толуола требуемого качества. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 12 пр.
Изобретение относится к способу получения сорбентов для очистки газов. Инертную неорганическую подложку пропитывают раствором литий алюминий гидрида в диэтиловом эфире. Удаляют эфир вакуумированием и осуществляют пиролиз литий алюминий гидрида, нанесенного на подложку, при температуре 100-500°C в вакууме. Изобретение обеспечивает получение сорбента, эффективного для очистки инертных газов и газов-восстановителей от примесей кислот Льюиса, углеводородов, кислорода и/или летучих оксидов. 10 пр.
Изобретение относится к области химии и может быть использовано при очистке водорода от примесей бора, фосфора и этилена
Изобретение относится к технологии получения высокочистых силанов, а именно к способам глубокой очистки моносилана, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения