Патенты автора КАНГ Гёнг Хун (KR)
СПОСОБ ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ МОНОСИЛАНА // 2410326
Изобретение относится к технологии получения высокочистых силанов, а именно к способам глубокой очистки моносилана, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения
