Патенты автора Громов Владимир Иванович (RU)
Использование: для изготовления карбид кремниевых приборов, а именно высоковольтных диодов Шоттки. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит окисление поверхности эпитаксиальной структуры, формирование в оксиде кремния контактных окон методом фотолитографии, формирование контакта Шоттки методом напыления металла и взрывной фотолитографии, термообработки контакта Шоттки, формирование контактной металлизации, проверки электрических параметров, дополнительно определяют высоту барьера и коэффициент неидеальности ВАХ диода Шоттки после взрывной фотолитографии, причем высота барьера должна быть не менее чем 75%, а коэффициент неидеальности не более 130% от значений годного диода Шоттки. Технический результат: обеспечение возможности повышения выхода годных диодов Шоттки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Способ формирования острия лезвия микроинструмента включает получение исходной плоскопараллельной монокристаллической пластины с рабочей поверхностью ориентации в кристаллографической плоскости (100) и толщиной, равной конечной толщине лезвия, нанесение на обе поверхности пластины защитного слоя, травление окон в защитном слое в направлении линии выхода на рабочую поверхность плоскости (111) для формирования лезвия на рабочей поверхности пластины, сквозного анизотропного травления кремния с рабочей стороны пластины для формирования лезвия в окнах защитного покрытия и удаления защитного покрытия. Анизотропное травление кремния проводят в два этапа, причем первый этап проводят до утонения пластины до толщины, равной разнице конечной толщины лезвия и толщины участка лезвия с более тупым углом заточки, а перед вторым этапом с рабочей стороны пластины полностью удаляют защитное покрытие, оставляя его на обратной стороне и травление проходит до момента появления защитного покрытия, нанесенного на обратную сторону пластины. При этом толщину исходной пластины выбирают по приведенной формуле. Достигается исключение боя пластины в процессе формирования лезвий, формирование наилучшего угла заточки на ориентации 100 или 110 и исключения облома острия лезвий. 1 табл., 4 ил.
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии сборки многокристальных полупроводниковых приборов с прижимным контактом
Изобретение относится к микроэлектронике
