Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме, в частности к устройству для вакуумного напыления пленок, и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной оптики, при нанесении функциональных покрытий из металлов и кремния и т.п