Патенты автора Денисов Сергей Александрович (RU)

Изобретение относится к лесной промышленности, в частности к разработке пораженных низовыми пожарами лесных массивов с заготовкой сортиментов машинами манипуляторного типа. Выполняют валку деревьев (3), обрезку сучьев, раскряжевку. Валку первоначально выполняют по оси волока (4), а далее – последовательно, начиная с деревьев, расположенных ближе к границе волока. Направление валки деревьев осуществляется таким образом, чтобы после обработки валочно-сучкорезно-раскряжевочной машиной (2) сучья (5) располагались равномерно по площади обрабатываемой ленты леса. После спиливания, в процессе падения дерева, комлевая часть дерева приподнимается, чем обеспечивается соударение вершинной части ствола с кроной с поверхностью почвы или снега, что способствует интенсивному выпадению шишек из кроны. Обеспечивается сохранение семян в качестве меры содействия естественному возобновлению сосны. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоёв германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения на легированной бором кремниевой подложке германия из германа и диффузии бора в растущий слой германия из приповерхностной области этой подложки, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур. Технический результат от использования предлагаемого изобретения - стабильное обеспечение заданных степеней легирования бором выращиваемого на изготовленной из легированного бором кремния подложке слоя монокристаллического германия при отсутствии дефектов указанного роста в широком интервале степеней легирования на основе сочетания в одной вакуумной камере восстановления германия из германа в присутствии нагревательного элемента, резистивно нагреваемого и изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, и поступления легирующего элемента - бора в зону роста указанного слоя германия с поверхности нагреваемой указанной подложки, и одновременное обеспечение возможности технологичного накопления атомарного бора под указанной поверхностью в результате предварительного вакуумного отжига этой подложки, а также повышение технологичности осуществления предлагаемого способа в результате обеспечения возможности последующего (после указанного вакуумного отжига) эпитаксиального выращивания на поверхности таких подложек слоя германия с одновременным диффузионным поступлением атомарного бора в зону указанного роста с поверхностей этих подложек в одной вакуумной камере в соответствии с чередованием операций единого технологического цикла. Для достижения указанного технического результата предлагается способ изготовления эпитаксиальной тонкоплёночной германиевой структуры, легированной бором, путём формирования в вакуумной камере направляемого на подложку атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из газовой фазы при высокой температуре, и обеспечения одновременного с ростом слоя монокристаллического германия на поверхности подложки диффузионного поступления атомарного бора в зону указанного роста с поверхности этой подложки, характеризующийся тем, что перед изложенным эпитаксиальным выращиванием слоя германия подложку, изготовленную из легированного бором кремния, подвергают вакуумному отжигу при температуре, выбираемой из интервала 1000-1300°С, в течение 10-60 мин для испарительного диффузионного накопления атомарного бора в приповерхностной области кремниевого материала этой подложки, после чего предлагаемое выращивание ведут путём формирования при высоком вакууме направляемого на эту предварительно подвергнутую указанному отжигу подложку атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из германа в присутствии нагревательного элемента, изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, резистивно нагреваемого при температуре указанного нагревательного элемента 1300-1550°С, при одновременном диффузионном поступлении в упомянутую ростовую зону атомарного бора с поверхности нагреваемой при 300-400°С этой же подложки с предварительно диффузионно накопленным под её поверхностью указанным образом атомарным бором, причём степень легирования бором кремниевого материала подложки и температуру вакуумного отжига указанной подложки из указанного температурного интервала выбирают в зависимости от требуемой степени легирования бором растущего слоя германия. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур для приборов электронной техники и может быть использовано для регулирования степени легирования при эпитаксиальном выращивании в вакууме легированных слоев кремния. Техническим результатом является повышение технологичности регулирования степени легирования при эпитаксиальном выращивании в вакууме легированных слоев кремния. В способе регулирования степени легирования при эпитаксиальном выращивании в вакууме легированных слоев кремния путём регулирования давления направляемых на подложку потока паров от нагретых резистивных источника паров кремния и источника паров легирующего элемента в результате изменения их температуры упомянутое изменение температуры указанных источников паров осуществляют при неизменных, но различных степенях их резистивного нагрева путём перемещения расположенного между ними теплового экрана, приводящего к изменению площади поперечного сечения радиационного теплового потока между ними. При этом в испарительном резистивном блоке, содержащем установленные в вакуумной камере фиксаторы резистивных источника паров кремния и источника паров легирующего элемента, установленных с возможностью направления на подложку потока паров от них, а также расположенный между ними тепловой экран, последний установлен с возможностью перемещения между упомянутыми источниками паров, приводящего к изменению площади поперечного сечения радиационного теплового потока между ними, возникающего из-за разницы в степенях их неизменного резистивного нагрева, а вакуумная камера оснащена средством исходного ограничения пропуска указанного радиационного теплового потока в его поперечном сечении с приданием последнему формы, обеспечивающей нормирование указанного изменения площади этого поперечного сечения. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоев германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения германия из германа и сублимации германия с легирующим элементом с поверхности источника легированного германия, разогретого электрическим током, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур. Технический результат от использования изобретения - стабильное обеспечение заданных степеней легирования при отсутствии дефектов роста в широком интервале степеней легирования эпитаксиально выращиваемых слоев германия. Для достижения указанного технического результата предлагается способ эпитаксиального выращивания легированных слоев германия путем формирования в вакуумной камере направляемого на подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из газовой фазы при высокой температуре, и легирующего элемента, одновременно поступающего в зону формирования указанного общего атомарного потока из автономного источника, характеризующийся тем, что выращивание ведут путем формирования при низком вакууме направляемого на нагреваемую подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из германа в присутствии нагревательного элемента, изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, резистивно нагреваемого при температуре указанного элемента 1300-1550°С, и германия с легирующим элементом, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности 860-900°С, расположенной рядом с упомянутым нагревательным элементом и изготовленной из германия, содержащего легирующий элемент, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к способам нанесения жидкого лакокрасочного материала (ЛКМ) на поверхность листовой подложки путем перемещения по ее поверхности роликов валковой окрашивающей машины линии покраски и может быть использовано для автоматического управления процессом нанесения полимерного ЛКМ на металлическую полосу. Способ нанесения лакокрасочного покрытия с помощью автоматической роликовой линии покраски включает задание требуемой толщины сухого слоя покрытия, анализ исходных параметров ЛКМ, определение необходимой толщины мокрого слоя покрытия и соответствующую настройку режима работы валковой окрашивающей машины линии покраски с последующим нанесением и сушкой лакокрасочного покрытия, непрерывное измерение толщин мокрого и сухого слоев покрытия в процессе покраски, анализ корректности настроек линии покраски и, в случае необходимости, их изменение. Для настройки валковой окрашивающей машины линии покраски создают, используют и периодически обновляют базу данных рецептов. Указанные рецепты устанавливают соответствие между исходными параметрами ЛКМ и параметрами работы валковой окрашивающей машины линии покраски, обеспечивающими формирование необходимой толщины мокрого слоя покрытия. При этом в ходе анализа исходных параметров ЛКМ предварительно окрашивают тестовую подложку, измеряют соотношение толщин мокрого и сухого слоев покрытия и используют полученное значение соотношения в качестве одного из исходных параметров ЛКМ для указанной базы данных рецептов. Изобретение позволяет упростить получение покрытия с заданными параметрами при минимизации отклонения реальной толщины сухого слоя покрытия от требуемой. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для прокладки защитных минерализованных полос, а также тушения низовых пожаров грунтом. Лесопожарный грунтомет содержит силовую установку, рабочий орган, привод управления. Рабочий орган установлен впереди рамы, а снизу за ним жестко закреплено опорно-поворотное устройство, выполненное в виде шаровой опоры с ножным упором и конусным стержнем, вынесенным за центр масс рабочего органа, при этом рабочий орган сверху закрыт направляющим кожухом, соединенным посредством рычага с приводом управления с возможностью подъема и опускания, а сам рабочий орган относительно опорно-поворотного устройства имеет возможность изменять положение в горизонтальной и вертикальной плоскостях. В результате выполнения работ при тушении низовых пожаров расширяются технологические возможности устройства, повышается безопасность труда и обеспечивается равномерность разбрасывания грунта. 2 ил.

Изобретение относится к лесной пожарной технике, а именно к перекатываемым емкостям для доставки и подачи к очагу горения жидких огнегасящих агентов, применяемых при борьбе с лесными пожарами. Перекатываемая емкость лесного пожарного агрегата оснащена рамой, оболочкой, которую заполняют жидкостью. Оболочка лесного пожарного агрегата выполнена в виде полого металлического цилиндра с установленными внутри ее продольными и поперечными перегородками, образующими нагнетательные жидкостные камеры, снабженные впускными и выпускными отверстиями, при этом на поперечных перегородках с наружной стороны в зоне выпускных отверстий установлены полые оси, у которых с одной стороны смонтированы обратные клапаны, а с другой - подшипниковые узлы рамы, соединяемой с тяговым средством лесного пожарного агрегата, а также вентили. Технический результат - повышение эксплуатационных качеств перекатываемой емкости лесного пожарного агрегата, за счет сокращения времени подготовки агрегата к работе повышается его эффективность. Кроме того, в агрегате отсутствуют насосные установки, что упрощает конструкцию и повышает надежность ее работы. 4 ил.

Группа изобретений относится к технологии вакуумной эпитаксии германия или германия и кремния, включающей применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления естественно образовавшегося или сформированного защитного слоя диоксида кремния с рабочей поверхности химически очищенной кремниевой подложки на этапе - ее подготовительной вакуумной очистке перед вакуумным осаждением германия или германия и кремния на указанную подложку для получения соответствующей эпитаксиальной пленки. Технический результат изобретения - повышение эффективности подготовительной вакуумной очистки рабочей поверхности кремниевой подложки за счет обеспечения высокой степени удаления диоксида кремния при одновременном повышении технологичности сочетаемости указанного удаления с последующей вакуумной эпитаксией, а также расширение актуального технологического арсенала вакуумной эпитаксии, удовлетворяющего растущим требованиям высококачественного полупроводникового производства. Для достижения указанного технического результата предлагается применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа путем пиролиза последнего в присутствии источника тепла для указанного пиролиза в виде резистивного нагревательного элемента, изготовленного из тугоплавкого металла и расположенного над нагретой химически очищенной кремниевой подложкой, в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности указанной подложки в условиях ее нагрева до температуры, превышающей технологическую температуру этой подложки, поддерживаемую при последующей вакуумной эпитаксии полупроводникового материала на основе германия, на величину, подбираемую в зависимости от степени наличия диоксида кремния на рабочей поверхности химически очищенной кремниевой подложки. Техническим результатом способа изготовления монокристаллической пленки германия на кремниевой подложке является повышение качества получаемой монокристаллической пленки германия за счет высокотехнологичной подготовительной вакуумной очистки рабочей поверхности кремниевой подложки перед началом формирования указанной пленки. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии эпитаксии кремний-германиевой гетероструктуры, основанной на сочетании сублимации кремния с поверхности источника кремния, разогретого электрическим током, и осаждения германия из германа в одной вакуумной камере, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур. Технический результат изобретения - разработка основанного на сублимации кремния в среде германа способа комбинированного выращивания высокостабильной малодефектной кремний-германиевой гетероструктуры с улучшенной контролируемостью процесса выращивания, на уровне создания режимной основы реализации программно-управляемого технологического процесса роста высококачественной гетероструктуры. В способе выращивания кремний-германиевой гетероструктуры путем испарения сублимационной пластины, выполненной из кремния или кремния с легирующей примесью и нагреваемой в результате пропускания через нее электрического тока, и одновременного осаждения германия из газовой среды германа при низком давлении в одной вакуумной камере выращивание ведут в условиях направленного напуска германа на упомянутую сублимационную пластину в вакуумной камере и при поддерживании скорости роста слоя кремний-германиевого твердого раствора, определяемой в зависимости от температуры нагрева указанной сублимационной пластины и при температуре нагрева подложки, выбираемой из интервала 300-400°C. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам для обработки почвы под посадку сеянцев и саженцев древесных растений и может быть использовано в лесном, коммунальном и сельском хозяйствах. Устройство включаете грядиль, пространственную раму, лемеха. Грядиль имеет конический редуктор, у которого на свободных концах горизонтальных валов смонтированы цепные передачи, связанные с приводными колесами. Колеса установлены на свободных концах подвижной П-образной рамы. Посредине боковых частей П-образной рамы смонтированы шарнирные узлы, размещенные на горизонтальных выходных валах конического редуктора. Поперечная балка связана посредством гидроцилиндра с кронштейном, установленным сверху грядили. На вертикальном выходном валу конического редуктора с одной стороны размещена шлицевая муфта с коническим колесом, а с другой стороны - цилиндрическая шестерня. Шестерня связана с поворотным кольцом опорно-поворотного устройства. На поворотном кольце жестко закреплен поворотный конический редуктор, у которого на свободных концах выходных валов смонтированы крестовины с жестко закрепленными лемехами. Такое конструктивное выполнение позволит расширить технологические возможности и повысить производительность труда. 4 ил.

Группа изобретений относится к сорбентам на основе наноалмазов, которые могут быть использованы для иммобилизации или удаления вирусов, специфических антител, иммуносорбции, в диагностических целях, для дезактивации и удаления вирусов из внешней среды. Сорбенты из наноалмазсодержащих материалов получают в результате детонационного синтеза и модификации. Поверхность детонационных наноалмазов подвергают целенаправленному изменению путем модифицирования химически активными жидкими и газообразными веществами при повышенных температурах. В результате модифицирования состав поверхностных радикалов, содержащих атомы неуглеродной природы (O, H, N, S), пополняется дополнительными атомами, что приводит к появлению дополнительных аналогичных или новых функциональных групп, способных образовывать связи с функциональными группами биологических объектов. Изобретение обеспечивает возможность удаления широкого спектра белковых материалов с помощью полученных сорбентов из различных биологических жидкостей. 12 н. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил., 9 пр.

Изобретение относится к лесному хозяйству и может быть использовано для подготовки лесной почвы к естественному лесовозобновлению. Устройство содержит раму прямоугольного сечения, полый цилиндр, вал, храповые механизмы с гидроцилиндрами. На боковой поверхности полого цилиндра выполнены ниши с установленными в них пластинами с рабочими органами. Рабочие органы выполнены в виде сошников и установлены между собой на расстоянии от 5 до 15 см. Пластины монтируются с возможностью изменения положения в нишах для обеспечения обработки почвы на глубину от 2,5 до 5 см. Таким конструктивным решением обеспечивается повышение качества обработки поверхности лесной почвы и всхожести семян при естественном лесовозобновлении. 3 ил.

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для нанесения защитных покрытий на поверхность листового проката. Анод содержит съемный рабочий элемент и подвеску с элементом ее закрепления на токопроводящей траверзе гальванической ванны, при этом подвеска имеет длину, большую длины рабочего элемента, равную с ним ширину и на конце упор для рабочего элемента, а по бокам имеет направляющие, в которые вставлен своими пазами рабочий элемент, при этом на внешней поверхности подвеска имеет изоляционное покрытие, а для обеспечения надежного электрического контакта между поверхностями сочленения рабочего элемента с подвеской вставлены упругие элементы. Технический результат: повышение коэффициента использования анодного материала, снижение энергетических затрат в процессе нанесения покрытия и повышение равномерности покрытия. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

Устройство содержит корпус с прикрепленными к нему рабочими органами. Корпус выполнен коробчатой формы треугольного сечения. По углам корпуса на опорных валах установлены коромысла. На каждом коромысле с одной стороны смонтированы колеса, а с другой -промежуточные валы. Промежуточные валы шарнирно соединены между собой регулировочной тягой. Тяга шарнирно связана с гидроцилиндром. Гидроцилиндр смонтирован на П-образной опоре. По бокам корпуса относительно центральной оси закреплены швеллеры, образующие отвал. На верхних полках швеллеров жестко приварены трубы. Снизу корпуса шарнирно установлены рабочие органы, выполненные в виде сошников на расстоянии 5-15 см и при глубине обработки почвы от 2,5 до 5 см. Сошники и коромысла установлены на валах с возможностью изменения положения в вертикальной плоскости. Такое конструктивное выполнение позволит повысить качество обработки поверхности лесной почвы для улучшения всхожести семян при естественном лесовозобновлении. 4 ил.

Устройство содержит стержень с рукояткой и рабочий орган. Устройство снабжено П-образной рамой. Рама содержит клиновидные боковые ножи с упорами для ног, соединенные между собой валом, который установлен внутри корпуса поворотного механизма со стопором. На корпусе смонтирована стойка с рукояткой, выполненная в виде двух втулок, соединенных между собой угольниками. Внутри стойки размещен подвижный стержень, на одном из свободных концов которого закреплен рабочий орган в виде прямоугольной пластины с лезвием, а между втулками - съемная рукоятка. При таком выполнении повышается качество посадки путем улучшения заделки корневой системы почвой и более быстрой приживаемости и дальнейшего развития саженца. 8 ил.

Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала

Изобретение относится к технологическому оборудованию для нанесения полупроводниковых материалов на подложку эпитаксиальным наращиванием и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники

Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме, в частности к устройству для вакуумного напыления пленок, и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной оптики, при нанесении функциональных покрытий из металлов и кремния и т.п

 


Наверх