Патенты автора АСАХИ Тосиаки (JP)
Изобретение относится к технологии получения поликристаллов полупроводникового соединения групп II-VI. Два или более исходных элементов вводят в полупроницаемую для воздуха внутреннюю емкость из pBN 6a, внутреннюю емкость вводят в полупроницаемую для воздуха теплостойкую внешнюю емкость 6b из графита, поверхность которой покрыта агентом типа стекловолокна, и помещают в печь 1 высокого давления, имеющую средства 7 нагрева. Воздух внутри печи высокого давления откачивают, печь заполняют инертным газом при заданном давлении, внешнюю емкость и внутреннюю емкость нагревают и температуру повышают, используя средства нагрева. Исходные элементы внутри внутренней емкости плавятся и взаимодействуют, и температуру затем постепенно понижают для роста поликристаллов. Изобретение позволяет осуществлять синтез без использования кварцевой ампулы в качестве емкости для синтеза поликристаллов, в результате чего является возможным использование емкости больших размеров без понижения выхода и ее многократное использование, что способствует снижению затрат. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.
