Патенты автора Павлов Александр Юрьевич (RU)
Изобретение относится к активной радиолокации и может быть использовано в системах опознавания объектов, снабженных радиолокационными ответчиками, по целеуказаниям от внешних систем. Технический результат заключается в увеличении зоны опознавания по дальности и углам, расширении функциональных возможностей радиолокационных запросчиков, а также в обеспечении электромагнитной совместимости при одновременной работе запросчиков и бортовых радиолокационных станций на излучение. Радиолокационный запросчик с системой активных фазированных решеток содержит последовательно соединенные приемное устройство, дешифратор ответных сигналов и устройство оценки пачки ответных сигналов и выработки критерия, последовательно соединенные шифратор и передатчик, а также источник вторичного электропитания, выходы дифференцированного напряжения которого подключены к составным частям запросчика. Запросчик дополнительно содержит устройство управления и выбора антенн, антенно-коммутирующее устройство, компенсационную антенну, предназначенную для отсеивания сигналов, приходящих с боковых направлений, а также систему активных фазированных антенных решеток, включающую в себя N антенн, обеспечивающих набор суммарно-разностных диаграмм направленности и установленных на летательном аппарате таким образом, чтобы их секторы работы по углам взаимно перекрывались и обеспечивался заданный суммарный угловой рабочий сектор. 1 ил.
Способ сухого травления нитридных слоев // 2694164
Изобретение относится к способу низкоэнергетичного бездефектного травления нитридных слоев гетероструктур AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции. Используя данный способ травления барьерного слоя, можно уменьшать толщину барьерного слоя до величины, необходимой для реализации заданного рабочего смещения на затворе полевого транзистора без внесения дефектов в подзатворную область. Для окисления барьерного слоя AlGaN и селективного удаления его окислов используют один и тот же реактор плазмохимической установки с источником индуктивно связанной плазмы. 4 ил.
Способ изготовления омических контактов // 2669339
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона. Техническим результатом изобретения является уменьшение удельного сопротивления омических контактов. Технический результат достигается за счет того, что после роста высоколегированного полупроводникового материала (n+GaN), который контактирует с двумерным электронным газом гетероструктуры AlGaN/GaN, и снятия диэлектрической маски, осуществляется высокотемпературный отжиг гетероструктуры с дорощенным высоколегированным полупроводниковым материалом при температуре 600-650°C в течение 10-15 минут в среде азота. 1 ил.
Способ изготовления Т-образного затвора // 2624600
Изобретение относится к технологии формирования Т-образных металлических затворов транзисторов различного типа, предназначенных для работы в диапазонах СВЧ и выше, а также при создании монолитных интегральных схем. Суть изготовления коротких Т-образных затворов с высоким аспектным соотношением и пологим наклоном стенок ножки с помощью диэлектрической маски заключается в последовательном нанесении двухслойного диэлектрика SiO2/SiNx, травлении щели в верхнем диэлектрике SiNx с контролем по времени или до стоп-слоя, конформном осаждении тонкого слоя диэлектрика Al2О3, его травлении с размерами щелей, соответствующих длине затвора, и дальнейшем травлении нижнего слоя SiO2 сквозь полученную маску Al2O3. После этого остатки Al2O3, нависающие над щелью в нижнем слое SiO2, удаляются сухим травлением в хлорсодержащем газе (BCl3). Последняя операция, в зависимости от времени воздействия плазмы, может создать при необходимости подзатворное углубление для приближения затвора к области канала транзистора. Изобретение обеспечивает улучшение характеристик транзистора, в частности увеличение пробивного напряжения, снижение влияния ловушек в призатворной области, уменьшение коллапса тока, а также уменьшение емкости затвор-сток. 4 з.п. ф-лы, 10 ил.
Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по технологии вжигаемых омических контактов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции. Омический контакт формируют путем последовательного напыления в вакууме четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием фоторезистивной маски на участок поверхности нитридной гетероструктуры с последующим статическим отжигом на графитовом столике в среде азота. Использование подслоя кремния обеспечивает при термической обработке за счет диффузии легирование подконтактной области, формируя высоколегированный полупроводник и изменяя работу выхода из него, обеспечивая формирование невыпрямляющего контакта алюминия с высоколегированной областью под контактом. Изобретение обеспечивает снижение температуры отжига, что обеспечивает улучшение морфологии омических контактов и повышение их технологичности. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона. Технический результат - уменьшение удельного сопротивления омических контактов и упрощение процесса изготовления омических контактов. Технический результат достигается за счет того, что в способе изготовления омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN после травления проводящего и барьерного слоев гетероструктуры производится дополнительное растравливание «окон» диэлектрической пленки SiO2 перед началом нанесения омических контактов, тем самым отсутствует необходимость напылять металлические слои под углом и улучшается сам контакт на вертикальной границе сформированного «окна» осажденных металлов с двумерным электронным газом. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
