Патенты автора Тадевосян Самвел Грантович (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также уменьшении размеров контактных окон и шины металлической разводки, интегральных схем, многокристальных модулей, в том числе 3D-конструкций. Способ изготовления контактных окон с уменьшенным размером для полупроводниковых приборов размером меньше, чем это позволяет достигать фотолитография, заключается в том, что после осаждения первого слоя диэлектрика проводится фотолитография и травится первый слой диэлектрика, а затем осаждается второй слой диэлектрика, далее осаждается третий слой металла или полупроводника; затем проводится ХМП третьего слоя и осаждается четвертый слой - либо металла, либо полупроводника, при этом если третий слой - полупроводник, то четвертый слой - металл, а если третий слой - металл, то четвертый слой - полупроводник, а затем проводится термообработка структуры до образования силицида там, где полупроводник соприкасается с металлическими участками, затем, используя четвертый слой как маску, травится силицид и окисел под слоем силицида и образуется контактное окно, размер которого меньше, чем это позволяет достигать фотолитография. 11 ил., 1 табл.

Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела, для формирования активных и пассивных элементов интегральных схем. Сущность изобретения заключается в способе изготовления маски для травления вертикальной полупроводниковой структуры путем нанесения первого слоя материала (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.) на поверхность подложки. Затем с помощью фотолитографии формируют окошки в виде квадрата или прямоугольника, после чего травят этот слой, затем на этот слой наносят второй слой материала (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.), после чего на поверхность наносят третий слой материала, являющийся маской по отношению к первым двум слоям (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.), и с помощью химико-механической полировки удаляют третий слой материала, затем, используя оставшуюся часть третьего слоя как маску, удаляют как первый, так и второй слой материала, потом удаляют третий слой материала. Структура второго слоя любой формы, например в виде прямоугольника размером меньше чем это позволяет достичь фотолитография, используется как маска для получения вертикальной полупроводниковой структуры. Изобретение обеспечивает уменьшение размера и упрощение технологии изготовления вертикальной полупроводниковой структуры. 8 ил., 2 табл.

Использование: для изготовления монолитных контактов и зондов, используемых в электронной технике. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления монолитных контактов и зондов осуществляется путем формирования на проводящем материале двух контуров маски друг над другом и последующем травлении проводящего материала. Технический результат - обеспечение возможности надежности контактов, простоты технологии, уменьшения размеров. 8 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Многокристальная микросхема, включающая стопу кристаллов одинакового размера, имеющих проводящие области, выходящие на лицевую грань стопы и соединенные с контактными площадками кристаллов, плату-основание, соединенную со стопой кристаллов и имеющую необходимую разводку межсоединений и внешние выводы, расположенные с нижней стороны платы-основания, предназначенные для монтажа многокристальной микросхемы на печатную плату, при этом на верхней стороне платы-основания выполнены миниатюрные проводящие острия, расположение которых соответствует проводящим областям на одной лицевой грани стопы кристаллов, и электрически соединены с ними. Изобретение обеспечивает уменьшение размеров многокристальной микросхемы и повышение ее надежности. 4 ил.

Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений

Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе

 


Наверх