Патенты автора Шелегеда Андрей Григорьевич (RU)
Способ изготовления контактных окон с уменьшенным размером для полупроводниковых приборов // 2767484
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также уменьшении размеров контактных окон и шины металлической разводки, интегральных схем, многокристальных модулей, в том числе 3D-конструкций. Способ изготовления контактных окон с уменьшенным размером для полупроводниковых приборов размером меньше, чем это позволяет достигать фотолитография, заключается в том, что после осаждения первого слоя диэлектрика проводится фотолитография и травится первый слой диэлектрика, а затем осаждается второй слой диэлектрика, далее осаждается третий слой металла или полупроводника; затем проводится ХМП третьего слоя и осаждается четвертый слой - либо металла, либо полупроводника, при этом если третий слой - полупроводник, то четвертый слой - металл, а если третий слой - металл, то четвертый слой - полупроводник, а затем проводится термообработка структуры до образования силицида там, где полупроводник соприкасается с металлическими участками, затем, используя четвертый слой как маску, травится силицид и окисел под слоем силицида и образуется контактное окно, размер которого меньше, чем это позволяет достигать фотолитография. 11 ил., 1 табл.
Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе
