Патенты автора Шаврин Андрей Георгиевич (RU)

Изобретение относится к области вооружений и может быть использовано в неконтактных взрывателях боеприпасов. Способ приведения в действие инициатора газодинамического импульсного устройства включает обнаружение объекта. Обнаружение осуществляется с помощью датчика, реагирующего на сближение с внешними телами, путем зондирования пространства серией световых импульсов с последующей регистрацией отраженных импульсов. Способ включает также формирование сигнала задействования инициатора при регистрации всех отраженных импульсов текущей серии. Конечный из импульсов регистрируют в предварительно заданном временном интервале, определяющем дистанцию до объекта. Зондирующие световые импульсы излучают, по крайней мере, одной парой разнонаправленных излучателей. Отраженные сигналы регистрируют соответствующим каждому излучателю фотоприемником. Каждый последующий зондирующий импульс серии формируют после регистрации отраженного предыдущего. Формирование сигнала задействования инициатора производят только при регистрации отраженных сигналов текущей серии одного из пары излучателей. Длительность временного интервала, характеризующую погрешность определения дистанции до объекта, задают с учетом длительности переднего фронта светового импульса. Повышается помехоустойчивость, снижается энергопотребление устройства. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Устройство передачи информации для бесконтактного программирования режимов работы инициатора газодинамического импульсного устройства относится к взрывным работам, в частности к устройствам бесконтактного программирования и передаче данных инициатору газодинамического импульсного устройства с индуктивной цепью управления. Устройство содержит внешний корпус с отверстием для выхода магнитного потока, в котором размещены колебательный контур, задающий генератор, схема управления усилителем мощности, усилитель мощности, модулятор. Регулируемый тактовый генератор соединен последовательно со схемой управления усилителем мощности, усилителем мощности и колебательным контуром, содержащим излучающую катушку, соединенную последовательно с конденсатором. Сердечник выполнен из ферромагнитного материала с высокой магнитной проницаемостью и высокой индукцией насыщения и имеет форму части кольца, установленного с возможностью направления излучения магнитного поля в зону размещения приемной катушки индуктивности газодинамического импульсного устройства. При этом плоскости торцов сердечника параллельны или расположены под углом друг к другу. Усилитель мощности выполнен по мостовой схеме на мощных МОП-транзисторах. Параллельно регулируемому тактовому генератору к схеме управления усилителем мощности подключен модулятор несущей частоты, имеющий вход для ввода управляющего сигнала. Техническим результатом является упрощение конструкции и повышение эффективности работы устройства. 1 ил.

Изобретение относится к контактным газодинамическим импульсным устройствам. Высокоскоростной инициатор содержит корпус, исполнительное устройство, датчик цели, включающий в себя расположенную в свободном объеме высокоскоростного инициатора электроконтактную группу, выполненную в виде токопроводящих элементов. Один из токопроводящих элементов гальванически развязан с управляющей схемой исполнительного устройства и является замыкателем, который установлен с возможностью свободного перемещения в сформированном объеме датчика при отсутствии инерционных сил, а при их наличии - фиксированного размещения в положении крайнего удаления от ответных токопроводящих элементов электроконтактной группы, соответствующем минимуму его потенциальной энергии. При этом часть объема датчика для перемещения замыкателя ограничена поверхностью конуса, расположенной под углом α к оси высокоскоростного инициатора, составляющим менее 90° от направления действия осевой инерционной силы. Управляющая схема включает электронный ключ, коммутирующий огневую цепь исполнительного устройства, и одновибратор, управляющий электронным ключом и подключенный параллельно электроконтактной группе, в схему дополнительно включен предварительный усилитель, установленный последовательно между электронным ключом и одновибратором. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия и надежность срабатывания высокоскоростного инициатора, упрощение конструкции датчика цели, универсальности схемы. 2 н. и 1 з п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к конструкциям взрывателей, реагирующих на сближение и контакт с внешними телами. Высокоскоростной инициатор с емкостным датчиком цели включает источник питания, два изолированных электрода датчика цели, которые вместе с генератором прямоугольных импульсов с постоянной амплитудой и изменяющейся частотой входят в схему, чувствительную к изменению емкости между этими электродами и соединенную со схемой детектирования сигналов, выходящих с генератора прямоугольных импульсов. Схема детектирования сигналов соединена с исполнительным устройством. В конструкцию введено устройство защиты цепи связи генератора с одним из электродов датчика цели от воздействия электромагнитных помех радиочастотного диапазона, работающее в диапазоне частот, превышающих рабочий диапазон частоты датчика цели, и включающее проходной конденсатор, резистор и экран, охватывающий резистор, который через проходной конденсатор соединен со схемой, чувствительной к изменению емкости между электродами. При этом другой электрод датчика цели выполнен в виде цельной оболочки, а проходной конденсатор размещен на его поверхности и имеет с ним, как и экран, круговой электроконтакт. Резистор по отношению к экрану размещен с зазором, величина которого не более 1/2 длины резистора. Изобретение позволяет повысить безопасность обращения и сохранить работоспособность в условиях воздействия электромагнитных полей. 2 ил.

Изобретение относится к квантовой электронике. Полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру, выращенную на подложке GaAs, ограниченную перпендикулярными оси роста торцовыми поверхностями, с нанесенными на них покрытиями, с одной стороны - отражающим, а на другой - антиотражающим, и включающую волноводный слой с активной областью, сформированный p-i-n-переход, контактный слой и ограничительные слои, показатели преломления последних меньше показателей преломления подложки и других слоев, контактный слой и смежный с ним ограничительный слой легированы акцепторами, а подложка и другой ограничительный слой легированы донорами. В гетероструктуру включен буферный слой GaAs, легированный донорами и размещенный между подложкой и ограничительным слоем, а активная область волноводного слоя содержит, по крайней мере, три квантовые ямы InGaAs, выполненные в p-i-n-переходе, сформированном волноводным, буферным и ограничительными слоями, кроме того, толщины волноводного слоя и смежного с буферным ограничительного слоя выбраны таким образом, чтобы обеспечить потери на выход излучения в подложку в диапазоне 10-50 см-1 и угол выхода излучения в подложку φ в диапазоне 0-3°. Технический результат заключается в обеспечении возможности снижения расходимости излучения. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретения относятся к полупроводниковой оптоэлектронике и могут быть использованы при изготовлении различного вида источников излучения. Светоизлучающий диод содержит светоизлучающий кристалл, покрытый оптическим элементом, наружная поверхность которого сферическая и выполнена световыводящей, а в качестве оптического элемента используют полимер класса полиэфироакрилатов, содержание остаточного количества мономеров в котором не более 0,01 массовой части. Также предложен способ изготовления, который включает размещение кристалла на основании, которое закрывают оптическим элементом. Световыводящую наружную поверхность формируют путем заливки определенного объема полимерной матрицы в форму, размеры которой соответствуют требуемой геометрии световыводящей поверхности, при этом заливку осуществляют, по крайней мере, в два этапа, для этого сначала в форму заливают часть полимерной матрицы, объем которой достаточен для формирования световыводящей поверхности, после чего из свободного объема формы удаляют кислород и до окончания полимеризации поверхностного слоя покрывают его недостающей частью полимерной матрицы, в процессе полимеризации которой в нее устанавливают основание с кристаллом, причем полимеризацию различных частей полимерной матрицы осуществляют при одинаковых внешних условиях. Изобретение обеспечивает получение высокоточных параметров светоизлучающего диода путем обеспечения однородности оптического элемента и высокого качества чистоты и точности формы и размеров световыводящей поверхности. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к конструкции емкостных датчиков цели, используемых во взрывателях боеприпасов, реагирующих на сближение и контакт с внешними телами, а конкретно к конструкции датчиков, имеющих два изолированных электрода, образующих входную емкость

Изобретение относится к боеприпасам, а конкретно к взрывателям ударного действия с бокобойной функцией в осколочно-фугасных снарядах

Изобретение относится к электронным устройствам самоликвидации боеприпаса

Изобретение относится к области взрывных работ, в частности к средствам инициирования, и может найти применение в конструкциях электромагнитных неконтактных взрывателей

Изобретение относится к конструкции емкостных датчиков цели, используемых во взрывателях боеприпасов, реагирующих на сближение и контакт с внешними телами

Изобретение относится к взрывной технике, в частности к конструкции инициирующих устройств и взрывателей для зарядов взрывчатого вещества (ВВ), входящих в состав боеприпасов, и может применяться при разработке предохранительно-взводящих механизмов
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх