Патенты автора КИМ Чангсунг Син (KR)
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА // 2414549
Изобретение относится к технологии выращивания слоя нитрида галлия с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы и получению нитридного полупроводникового устройства
