Патенты автора ШУЛЬЦЕ Ханс-Йоахим (DE)
Изобретение относится к полупроводниковым приборам. В полупроводниковом конструктивном элементе, имеющем полупроводниковое тело (21) с первой стороной (22), второй стороной (23) и краем (24), внутреннюю зону (27) с основным легированием первого типа проводимости, расположенную между первой стороной (22) и внутренней зоной (27) первую полупроводниковую зону (61) первого типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше концентрации легирования внутренней зоны (27), расположенную между второй стороной (23) и внутренней зоной (27) вторую полупроводниковую зону (29) второго типа проводимости, с концентрацией легирования выше концентрации легирования внутренней зоны (27), по меньшей мере один первый краевой скос, который проходит под первым углом (30) к плоскости прохождения перехода от второй полупроводниковой зоны (29) к внутренней зоне (27) по меньшей мере вдоль края (24) второй полупроводниковой зоны (29) и внутренней зоны (27), второй краевой скос со вторым углом (71), величина которого меньше величины первого угла, который проходит вдоль края (24) первой полупроводниковой зоны (61) или скрытой полупроводниковой зоны (41), при этом по меньшей мере одна скрытая полупроводниковая зона (41) второго типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше, чем во внутренней зоне (27), предусмотрена между первой полупроводниковой зоной (61) и внутренней зоной (27) и проходит по существу параллельно первой полупроводниковой зоне (61). Изобретение позволяет исключить повышенные пики силы поля в краевой области, возникающие во время процесса выключения полупроводникового конструктивного элемента, а также обеспечивает повышенную воспроизводимость и меньший разброс электрических свойств. 9 з.п. ф-лы, 7 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОМПОНЕНТА С ИНТЕГРИРОВАННЫМ ПОПЕРЕЧНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ // 2548589
Способ изготовления полупроводникового компонента, имеющего по меньшей мере одно интегрированное поперечное сопротивление, включает подготовку полупроводниковой подложки из легированного полупроводникового материала первого типа проводимости с легированной базовой зоной второго типа проводимости, маскирование поверхности полупроводниковой подложки, для того чтобы по меньшей мере частично вскрыть область сопротивления базовой зоны, осаждение на вскрытую область сопротивления легирующей примеси так что на вскрытой области сопротивления формируется тонкий покровный слой первого типа проводимости, имеющий высокую концентрацию легирующей примеси, разгонку осажденной легирующей примеси в области сопротивления таким образом, что из тонкого покровного слоя формируется более толстый слой, имеющий меньшую концентрацию легирующей примеси. Изобретение обеспечивает изготовление полупроводникового компонента с высоковоспроизводимым сопротивлением при минимальных технологических затратах. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
УСТРОЙСТВО С ПОДВИЖНОЙ ПЛИТОЙ // 2435695
Изобретение относится к устройству с подвижной плитой согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения
СПОСОБ СБОРКИ АВТОМОБИЛЕЙ // 2415046
Изобретение относится к области машиностроения, а именно к способу сборки автомобилей
