Патенты автора КАНГ Сеунг Х. (US)

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности и времени для считывания и записи. Компьютерная система содержит множество функциональных модулей, причем каждый функциональный модуль содержит функциональный блок и блок магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), связанный с функциональным блоком, причем MRAM блок сконфигурирован с возможностью сохранения операционного состояния функционального блока во время состояния ожидания функционального модуля, содержащего этот функциональный блок; при этом компьютерная система сконфигурирована с возможностью переводить один из функциональных модулей в состояние ожидания, когда другой из функциональных модулей находится во включенном состоянии. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки. Способ формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке, в котором применяют программирующее напряжение к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП одноразрядной ячейки для формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке; и определяют необратимое состояние путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП и принятого на первом входе дифференциального усилителя, со вторым значением, считанным со второго МТП и принятым на втором входе дифференциального усилителя, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП. 7 н. и 27 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области регулирования параметров схемы памяти на основе сопротивления

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

 


Наверх