Патенты автора Валеев Адиль Салихович (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС многократным повторением процессов изготовления типовых структур, состоящих из медных горизонтальных и вертикальных проводников и окружающих их диэлектрических слоев с низким значением эффективной диэлектрической постоянной, включает нанесение на полупроводниковую пластину металлических слоев, фотолитографию, локальное электрохимическое нанесение меди и защитных слоев на ее поверхность. Процесс изготовления включает три последовательно выполняемых этапа: изготовление горизонтальных медных проводников, изготовление внутриуровневой пористой диэлектрической изоляции с ультранизким значением диэлектрической постоянной и межуровневой изоляции из плотного диэлектрика и изготовление вертикальных медных проводников. Изобретение обеспечивает отсутствие интегрированных технологических операций, а также повышение механической прочности проводников за счет того, что медный проводник находится внутри плотного диэлектрика. 13 з.п. ф-лы, 18 ил.
Изобретение относится к электронной технике. Процесс изготовления многокристальных трехмерных ИС методом вертикальной сборки с применением технологии TSV включает в себя формирование в кристаллах на кремниевой пластине сквозных медных проводников с выступами над лицевой или тыльной стороной утоненных пластин. Предлагается одновременно с травлением глубоких вертикальных отверстий (ГВО) в кремнии вытравить и глубокие вертикальные траншеи (ГВТ) по границам кристаллов и одновременно с ГВО в кремнии заполнить их стенки металлом с аналогично сформированными выступами. Сквозные вертикальные проводники (СВП) и сквозные теплоотводящие рамки (СТР) на соединяемых пластинах одновременно соединяются, при этом герметизируется пространство между соединенными кристаллами, значительно увеличивается прочность соединения кристаллов. Создается теплоотводящая система как от каждого кристалла, так и от всей сборки кристаллов. Изобретение позволяет полностью электрически экранировать многокристальную сборку, включая и возможность создания электрического экрана между соединяемыми кристаллами, а также возможность уменьшить ширину межкристальных дорожек до уровня порядка единиц микрометров. 10 з.п. ф-лы, 23 ил.
ЭЛЕКТРОЛИТ И СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ТОНКИЙ ПРОВОДЯЩИЙ ПОДСЛОЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН // 2510631
Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин. Электроосаждение меди проводят из электролита меднения, содержащего сульфат меди, спирт этиловый, этилендиамминтетрауксусную кислоту (ЭДТУ), лаурилсульфат аммония и аммиак в виде водного раствора. Электролит меднения не содержит ионов щелочных металлов и пригоден для нанесения слоев меди на подслой меди, кобальта или его сплавов. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 пр.
Изобретение относится к микроэлектронике
Изобретение относится к микроэлектронике
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ВОЗДУШНЫМИ ЗАЗОРАМИ // 2436188
Изобретение относится к микроэлектронике
Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем
