Патенты автора ЯМАСИТА Юитиро (JP)

УСТРОЙСТВО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И СИСТЕМА ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ // 2608319

В устройстве фотоэлектрического преобразования, содержащем множество блоков фотоэлектрического преобразования, каждый из которых имеет множество элементов фотоэлектрического преобразования, на которые падает свет, сконцентрированный посредством одной микролинзы, каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости для сбора сигнального заряда, высота потенциального барьера относительно сигнального заряда, по меньшей мере, участка области между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом и включенных в один блок фотоэлектрического преобразования, ниже, чем высота потенциального барьера, расположенного между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом, и каждый из которых включен в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом, и каждая микролинза расположена с наложением на множество первых полупроводниковых областей, содержащихся в одном пикселе, относительно вида сверху блока фотоэлектрического преобразования и концентрирует свет на множестве первых полупроводниковых областей. Изобретение направлено на получение требуемого сигнала, когда сигналы множества элементов фотоэлектрического преобразования используются в качестве одного сигнала посредством использования надлежащей изоляционной структуры между элементами фотоэлектрического преобразования. 12 н. и 36 з.п. ф-лы, 31 ил.

УСТРОЙСТВО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И СИСТЕМА ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ // 2561233

В устройстве фотоэлектрического преобразования, способном на суммирование сигналов элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блоки фотоэлектрического преобразования, каждый из элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа удельной проводимости для сбора сигнального заряда, вторая полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена между элементами фотоэлектрического преобразования, размещенными рядом друг с другом и включенными в блок фотоэлектрического преобразования, и третья полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена между элементами фотоэлектрического преобразования, размещенными рядом друг с другом среди множества элементов фотоэлектрического преобразования и включенными в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом. Концентрация примеси второй полупроводниковой области ниже концентрации примеси третьей полупроводниковой области. Изобретение обеспечивает получение требуемого сигнала посредством использования надлежащей изоляционной структуры. 4 н. и 15 з.п.ф-лы, 15 ил.

УСТРОЙСТВО СНЯТИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ И СИСТЕМА СНЯТИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ // 2532578

Изобретение относится к устройству фотоэлектрического преобразования. В устройстве фотоэлектрического преобразования, которое складывает сигналы множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в состав блоков фотоэлектрического преобразования, каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, которая накапливает сигнальные несущие. Первые полупроводниковые области, включенные в состав элементов фотоэлектрического преобразования, которые включаются в состав каждого из блоков фотоэлектрического преобразования и располагаются в непосредственной близости друг к другу, размещают между собой вторую полупроводниковую область второго типа проводимости. Высота потенциального барьера для сигнальных несущих, сгенерированных в определенной области второй полупроводниковой области, меньше высоты потенциального барьера для сигнальных несущих, сгенерированных в третьей полупроводниковой области, находящейся между каждой из первых полупроводниковых областей и стоковой областью для избыточных зарядов первого типа проводимости. Изобретение обеспечивает получение необходимого сигнала в ситуации, когда один сигнал получают с использованием сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования посредством создания структуры изоляции между элементами фотоэлектрического преобразования. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 14 ил.

ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАХВАТА ИЗОБРАЖЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА // 2506662

Изобретение относится к устройствам захвата изображения. Твердотельное устройство захвата изображения включает в себя множество пикселей, причем каждый из множества пикселей содержит участок фотоэлектрического преобразования, сконфигурированный для генерации зарядов в соответствии с падающим светом, участок удержания заряда, сконфигурированный так, чтобы включать в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, и участок передачи, сконфигурированный так, чтобы включать в себя электрод передающего затвора, который управляет потенциалом между участком удержания заряда и узлом считывания. Участок удержания заряда включает в себя управляющий электрод. Вторая полупроводниковая область второго типа проводимости расположена на поверхности полупроводниковой области между управляющим электродом и электродом передающего затвора. Третья полупроводниковая область первого типа проводимости расположена под второй полупроводниковой областью. Третья полупроводниковая область расположена в более глубоком местоположении, чем первая полупроводниковая область. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности передачи заряда от участка удержания заряда к плавающей диффузионной области. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 7 ил.

ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАХВАТА ИЗОБРАЖЕНИЯ // 2502155

Изобретение относится к твердотельному устройству захвата изображения. В твердотельном устройстве захвата изображения участок фотоэлектрического преобразования, участок удержания зарядов, участок переноса и узел считывания формируются в кармане p-типа. Участок удержания зарядов сконфигурирован, чтобы включать в себя полупроводниковую область n-типа, которая является первой полупроводниковой областью, удерживающей заряды в участке, отличном от участка фотоэлектрического преобразования. Полупроводниковая область p-типа, имеющая более высокую концентрацию, чем карман p-типа, располагается под полупроводниковой областью n-типа. Изобретение обеспечивает разрешение переноса зарядов при низком напряжении, во-первых, пресекая расширение обедненного слоя во время переноса зарядов из участка удержания зарядов в плавающую диффузионную область, и, во-вторых, предотвращая сужение канала переноса между участком удержания зарядов и плавающей диффузионной областью. 3 н. и 30 з.п. ф-лы, 13 ил.