Патенты автора Власов Алексей Сергеевич (RU)
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых структур многокаскадных (многопереходных) фотоэлектрических преобразователей оптического излучения с соединительными элементами между переходами. Способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений слоев n-типа проводимости и р-типа проводимости, образующих не менее двух n-р или р-n диодов. Слои сопряженных друг с другом диодов разделяют посредством введения в зону сопряжения компонентов микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения, а ширина запрещенной зоны материала микрочастиц больше ширины запрещенной зоны материала нижележащих компонентов в направлении от источника света. При этом выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляют субслоями толщиной 50-150 нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на 10-15 секунд при постоянной подаче водорода. Изобретение обеспечивает повышенную эффективность фотопреобразования изготовленной согласно изобретению полупроводниковой структуры. 2 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра на длинноволновый и коротковолновый диапазоны
