Патенты автора Тетерин Петр Евгеньевич (RU)
Изобретение относится к области измерения электрических полей и может быть использовано для измерения напряженности постоянных электрических полей, создаваемых как объектами промышленного и лабораторного назначения, так и объектами, находящимися в атмосфере. Техническим результатом является повышение точности измерения напряженности электростатического поля при наличии электромагнитных помех. В предлагаемом способе измерения напряженности электростатического поля осуществляют проведение спектрального анализа сигнала, получаемого от датчика, например антенны, помещенной в электростатическое поле. При этом дополнительно проводят спектральный анализ фонового электромагнитного поля, полученного от антенны, помещенной вне электростатического поля. После чего сравнивают спектральные характеристики от первой и второй антенны и по их различию судят о величине напряженности электростатического поля. 2 ил.
Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя Eu2O3 для полупроводниковой пленки, полученной на подложке, включает доокисление поверхностного слоя выращенной в сверхвысоковакуумной камере полупроводниковой пленки EuO в той же камере в кислороде, при этом давление потока кислорода составляет от 1·10-9 до 1·10-6 Торр в диапазоне температур подложки от 0 до 19°C. Обеспечивается формирование эффективного защитного диэлектрического слоя Eu2O3 на поверхности функционального слоя из полупроводникового оксида европия(II) - EuO, способного предотвратить деградацию функционального слоя в результате химического взаимодействия с внешней средой. 2 ил., 1 пр.
СПОСОБ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ МАТЕРИАЛОВ // 2488809
Изобретение относится к области неразрушающего контроля и диагностики материалов и может быть использовано в тех областях науки и техники, где необходимо отслеживать состояние материалов без оказания тестового воздействия на них
Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе моносульфида самария, и может быть использовано для создания переключающих устройств, например устройств энергонезависимой памяти на основе перехода металл-полупроводник
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ EuS // 2428505
Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области получения тонкопленочных слоев магнитных полупроводников, и может быть использовано при получении интегральных схем
