Патенты автора Хилов Сергей Иванович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Сущность способа состоит в следующем. Для снижения энергетических затрат и уменьшения геометрических размеров формируемых на поверхности пластины кремния наноструктур, перед лазерной обработкой на поверхности пластины формируется тонкая оптически прозрачная пленка диэлектрика, после чего осуществляется обработка лазерным излучением наносекундной длительности длиной волны от 193 до 355 нм. Техническим результатом изобретения является возможность создания на поверхности кремния равномерной, наноструктурированной, кристаллической, колончатой поверхности с помощью импульсного лазерного излучения с плотностью энергии и числом импульсов, существенно меньшими, чем в известных аналогичных способах. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Группа изобретений относится к послойному изготовлению металлической детали лазерным спеканием порошка. Способ включает подачу в область спекания порошка по меньшей мере одного подогревающего лазерного луча, причем подогревающий лазерный луч расфокусируют или фокусируют шире, чем основной спекающий лазерный луч, при этом обеспечивают уменьшение температурного градиента между зоной спекания порошка и окружающим ее порошком. Основной спекающий луч и подогревающий луч формируют с использованием акустооптического дефлектора, причем основной спекающий луч формируют в виде спекающих лазерных лучей, расположенных вплотную друг к другу в ряд, перпендикулярный направлению спекания, мощность излучения одного из которых, расположенного вплотную к переходу порошок - спеченный материал, превышает мощность излучения остальных лазерных спекающих лучей из условия компенсации температурного градиента между зоной спекания и спеченным материалом детали. Обеспечивается уменьшение коробления спеченной детали, а также однородность ее структуры. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано для точного управления лазерным излучением

 


Наверх