Патенты автора Марков Владимир Витальевич (RU)
Изобретение относится к антенной технике. Особенностью заявленной широкополосной щелевой полосковой антенны ГНСС является то, что микрополосковая линия включает в себя две дуги, выполненные с разными радиусами относительно геометрического центра подложки, каждая дуга проходит под всеми щелевыми излучателями, соединяется с одной стороны с верхней металлизированной стороной подложки через активное сопротивление, а с другой стороны соединяется с проводником, являющимся общим для двух дуг. Техническим результатом является расширение диапазона рабочих частот антенны. 3 ил.
Использование: антенная техника, а именно в щелевых полосковых антеннах вытекающей волны с круговой поляризацией, и может быть применено для приема сигналов Глобальных навигационных спутниковых систем, включая ГЛОНАСС, GPS, COMPASS, GALILEO. Сущность: щелевая полосковая антенна вытекающей волны с круговой поляризацией со скачком ширины щелевых излучателей включает диэлектрическую подложку, на верхней металлизированной стороне которой выполнены щелевые излучатели, закрученные по спирали вокруг геометрического центра антенны, не соединенные между собой и включающие прямые и изогнутые сегменты различной длины. При этом щелевые излучатели выполнены с увеличением ширины щели в пучностях высокочастотного электрического поля Н-волны. Технический результат: улучшение технических характеристик антенны, в частности уменьшение коэффициента эллиптичности и увеличение подавления кроссполяризации. 10 ил.
Изобретение относится к антенной технике и может быть применено для приема сигналов Глобальных навигационных спутниковых систем, включая ГЛОНАСС, GPS, GALILEO и OmniSTAR. Технический результат - улучшение технических характеристик антенны, а именно: уменьшение коэффициента эллиптичности, увеличение подавления кросс-поляризации и расширение рабочего диапазона частот. Щелевая полосковая антенна вытекающей волны с круговой поляризацией, включающая диэлектрическую подложку, на нижней металлизированной стороне которой выполнена подводящая микрополосковая линия, имеющая форму спирали, а на верхней металлизированной стороне выполнены основные щелевые излучатели, закрученные по спирали вокруг геометрического центра антенны и включающие прямые и изогнутые сегменты различной длины, на верхней металлизированной стороне диэлектрической подложки между основными щелевыми излучателями выполнены дополнительные щели с меньшей электрической длиной, чем электрическая длина основных щелевых излучателей, дополнительные щели не соединены с основными щелевыми излучателями и выполнены в виде концентрических дуг, расположенных вокруг геометрического центра антенны, или в виде отрезков спиралей. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ БЕСКОНТАКТНЫМ СВЧ МЕТОДОМ // 2430383
Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом
