Изобретение относится к технике фотометрии и предназначено для метрологического определения внутренней квантовой эффективности полупроводникового фотодиода по его вольт-амперным характеристикам. Известен способ калибровки фотодиодов - метод электрического смещения на окисле. Чтобы характеризовать кремниевые р+nn+ фотодиоды, необходимо решить задачу определения эффективности собирания зарядов для фототока, генерируемого в р+ области. Первичной причиной потерь во фронтальной области является высокая скорость электрон-дырочной рекомбинации. Этот эффект усиливается присутствием положительно заряженных ионов, которые наводят поверхностное электрическое поле. Для определения влияния этого эффекта на внутреннюю квантовую эффективность диода широко используется метод электрического смещения на окисле. Преимуществом данного способа являются прямое измерение фототока насыщения и вычисление по нему внутренней квантовой эффективности. Однако этот способ обладает недостатком, который состоит в деградации рабочей поверхности полупроводника, происходящей под действием высокого отрицательного напряжения, приложенного к поверхности. Целью настоящего изобретения является способ определения квантовой эффективности фотодиода, основанный на сравнении его экспериментально измеренных вольт-амперных характеристик с теоретически рассчитанными зависимостями. Поставленная цель достигается тем, что при 2-х разных мощностях падающего лазерного излучения, относительно которых известно лишь их отношение, снимают две вольт-амперные характеристики фотодиода, которые затем сопоставляются посредством разработанной расчетной процедуры. Таким образом, изобретение обеспечивает упрощение процедуры калибровки при сохранении точностных характеристик фотодиода.
Изобретение относится к технике фотометрии и предназначено для повышения точности измерения электрических характеристик фотодиода. Способ заключается в том, что исследуемую электрическую характеристику измеряют в выбранной последовательности точек, осуществляя контроль температуры с использованием датчика температуры в процессе измерений. Из выбранной последовательности точек выбирают реперную точку вблизи максимального значения тока или напряжения при начальной температуре. Последовательно для каждой следующей точки проводятся измерения тока или напряжения, каждый раз после этого возвращаясь в реперную точку. При этом термостабилизация осуществляется следующим образом: после возврата в реперную точку определяют относительное изменение температуры фотодиода путем оценки смещения реперной точки от исходного положения при постоянной величине силы тока или напряжения, причем в качестве датчика температуры и управляющего элемента термостабилизации используют исследуемый фотодиод; путем изменения температуры фотодиода добиваются возврата реперной точки в исходное положение. Технический результат заключается в повышении точности измеряемой электрической характеристики фотодиода.