Патенты автора ХОРИУТИ Сатоси (JP)

В жидкокристаллическом устройстве отображения первая вспомогательная линия 430 образована узкой, а вторая вспомогательная линия 440 вспомогательной расположена в самом ближнем положении к периферии подложки. Первая вспомогательная линия расположена между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и областью отображения. Вторая вспомогательная линия расположена между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении схемы формирователя сигналов. Технический результат - повышение надежности, уменьшение габаритов устройства. 16 з.п. ф-лы, 15 ил.

Панель содержит первую и вторую изолирующие подложки и жидкокристаллический слой, расположенный между ними. Одна из подложек имеет на стороне, контактирующей с жидкокристаллическим слоем, общий электрод с выступами и/или вырезами, а другая - линии сигнала сканирования, линии сигнала данных и электроды элементов изображения. Каждый из электродов элементов изображения имеет секцию выреза и выступающую секцию, электроды элементов изображения электрически подключены к соответствующим электродам стока активных элементов, которые обеспечены для управления электродами элементов изображения, через соответствующие сквозные отверстия, обеспеченные в изолирующем слое. Электроды элементов изображения другой подложки расположены ближе к жидкокристаллическому слою, чем изолирующий слой. По меньшей мере часть выступающей секции электрода элемента изображения совпадает со сквозным отверстием. Элементы изображения идентичны друг другу в ориентационной структуре молекул жидкого кристалла, ориентированных в разных направлениях в жидкокристаллическом слое. Технический результат - повышение качества изображения. 2 н.з. и 9 з. п. ф-лы, 12 ил.

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой. По меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою. Электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участков. Подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя плавающий электрод, который перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков через изолирующую пленку. Ширина плавающего электрода является большей, чем ширина каждого из двух или более линейных участков. Технический результат - предотвращение возникновения дефекта пикселя. 2 н.з. и 30 з. п. ф-лы, 76 ил.

Устройство включает жидкокристаллический слой между подложкой матрицы тонкопленочных транзисторов и противоположной подложкой и, по меньшей мере, один электрод. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает прозрачную подложку; линии истока и линии затвора; проводящую часть в пикселе, заданную линиями истока и линиями затвора; и изолирующую пленку, покрывающую данную проводящую часть и обеспеченную контактным отверстием, электрически соединяющим электрод на подложке матрицы тонкопленочных транзисторов среди, по меньшей мере, одного электрода и проводящую часть через изолирующую пленку. Противоположная подложка содержит выступ, распространяющийся от одного конца до другого конца пиксела. По меньшей мере, один электрод обеспечен, по меньшей мере, одной щелью между контактным отверстием и границей пиксела. Технический результат - повышение эффективности индикации. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит множество пикселей, каждый из которых включает в себя по меньшей мере один первый электрод (21), который имеет первый угловой участок с первой кромкой, параллельной направлению строки, и второй кромкой, параллельной направлению столбца, а также первую подложку, которая включает в себя электродный слой (например, противоэлектрод (18а) запоминающего конденсатора), который перекрывает по меньшей мере часть первой кромки и по меньшей мере часть второй кромки первого углового участка. Технический результат - подавление ухудшения качества отображения, вызываемого нарушением выравнивания молекул жидкого кристалла вблизи кромки первого электрода. 15 з.п. ф-лы, 18 ил.

Настоящее изобретение относится к (i) подложке матрицы, в которой элементы тонкопленочных транзисторов (TFT) и другие компоненты обеспечиваются на изолирующей подложке, и (ii) жидкокристаллической панели отображения, изготовленной с подложкой матрицы. Жидкокристаллическая панель отображения содержит подложку матрицы, содержащую: изолирующую подложку, имеющую область отображения и ее окружающую область; переключающие элементы, размещенные в виде матрицы на изолирующей подложке; пиксельные электроды, размещенные в виде матрицы в области отображения изолирующей подложки и соединенные с переключающими элементами; и схемы возбуждения для возбуждения переключающих элементов. Причем схемы возбуждения обеспечиваются в окружающей области и содержат множество столбцовых групп, размещенных в направлении от краевой стороны изолирующей подложки к области отображения, причем каждая из столбцовых групп имеет продольную сторону вдоль краевой стороны изолирующей подложки и содержит множество строчных групп, соответствующих строкам пиксельных электродов, размещенных в виде матрицы, и каждая имеет множество элементов возбуждения. Множество магистральных линий, проходящих вдоль краевой стороны изолирующей подложки в окружающей области, причем по меньшей мере одна из магистральных линий обеспечивается между соседними столбцовыми группами; ответвительные линии, обеспечиваемые в окружающей области, каждая из которых соединяет магистральную линию с элементом возбуждения; и соединительные линии, каждая из которых проходит от представляющей интерес ответвительной линии для электрического соединения представляющей интерес ответвительной линии с элементом возбуждения, обеспечиваемым в строчной группе, отличной от строчной группы, где обеспечивается элемент возбуждения, соединенный с представляющей интерес ответвительной линией. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к подложкам активной матрицы

 


Наверх