Патенты автора Миронов Алексей Владимирович (RU)
Полупроводниковое светоизлучающее устройство белого цвета содержит оптически прозрачный корпус с нанесенным на стенках люминофором. Внутри корпуса установлены лазерные диоды, имеющие ось симметрии. Причем лазерные диоды расположены последовательно на оси симметрии светоизлучающего устройства таким образом, что их оси симметрии совпадают между собой. Торцы лазерных диодов соединены так, что они находятся в электрическом и механическом контакте и образуют линейку лазерных диодов, диаграмма направленности излучения которой имеет ось симметрии, совпадающую с осью симметрии светоизлучающего устройства. Технический результат заключается в создании полупроводникового светоизлучающего устройства белого света большой интенсивности светового излучения без увеличения размеров светоизлучающих элементов, обеспечивающего при этом однородную засветку люминофора. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.
Изобретение относится к технологии кристаллических полупроводниковых структур. В способе изготовления отделяемых тонких эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов с полупроводниковыми приборными структурами подготавливают поверхность базовой полупроводниковой подложки к гомоэпитаксии, наносят на базовую подложку методом гомоэпитаксии тонкий эпитаксиальный слой полупроводника, идентичного базовой подложке, обрабатывают границу между базовой подложкой и тонким эпитаксиальным слоем с помощью сфокусированного лазерного излучения, формируя механически ослабленную границу, наносят приборную эпитаксиальную структуру на эпитаксиальный слой, наносят верхние контакты на приборную эпитаксиальную структуру, разделяют приборную эпитаксиальную структуру на отдельные чипы, таким образом, что вертикальный разрез проходит сквозь приборную эпитаксиальную структуру и эпитаксиальный слой и заканчивается вблизи механически ослабленной границы, прикрепляют приборную эпитаксиальную структуру, разделенную на отдельные чипы, к поддерживающей подложке, отделяют базовую подложку от приборной эпитаксиальной структуры, наносят нижние контакты на приборную эпитаксиальную структуру, полируют отделенную базовую подложку и передают ее в начало цикла для повторного использования. Изобретение обеспечивает неповреждающее отделение тонких эпитаксиальных слоев с приборными структурами при многократном использовании базовой подложки. 2 н. и 22 з.п.ф-лы, 12 ил.
Изобретение относится к технологии выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре с оптически ослабленной границей. Предлагаемый способ основан на использовании лазерного излучения с длиной волны и мощностью, подобранными таким образом, чтобы лазерное излучение поглощалось вблизи одной из границ слоистой кристаллической структуры и частично разрушало нитрид третьей группы вблизи этой границы, ослабляя механическую прочность указанной границы и всей слоистой кристаллической структуры. Полученные таким способом кристаллические структуры с оптически ослабленной границей могут использоваться в качестве подложек для выращивания эпитаксиальных кристаллических слоев нитридов третьей группы и позволяют существенно ослабить механические напряжения, возникающие из-за рассогласования параметров кристаллических решеток и коэффициентов термического расширения. Ослабление механических напряжений приводит к уменьшению изгиба эпитаксиальных слоев и снижает количество ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях. Кроме этого, приложение механического или термомеханического напряжения к эпитаксиальным слоям, выращенным на кристаллических структурах с оптически ослабленной границей, позволяет легко отделять по оптически ослабленной границе полученные эпитаксиальные слои от исходной подложки. 7 з.п. ф-лы, 20 ил., 7 пр.
Изобретение относится к области технологии получения твердых кристаллических материалов методом газофазной эпитаксии. При выращивании эпитаксиальной пленки нитрида третьей группы 3 на ростовой подложке 1 используют полиморфный углеродный буферный слой 4, расположенный между подложкой 1 и эпитаксиальной пленкой 3 и состоящий из смеси поликристаллического углерода с преимущественно вертикально ориентированными базисными плоскостями 5, поликристаллического углерода с преимущественно горизонтально ориентированными базисными плоскостями 6 и аморфного углерода 7. Использование полиморфного углеродного буферного слоя позволяет, с одной стороны, снизить механические напряжения, возникающие из-за рассогласования параметров кристаллических решеток между эпитаксиальной пленкой и подложкой, и предотвратить растрескивание эпитаксиальных пленок, а с другой - не приводит к высокопрочному механическому соединению подложки с выращенной пленкой, что обеспечивает ее легкое отделение от подложки. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 9 пр.
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО // 2494498
Светоизлучающее полупроводниковое устройство согласно изобретению содержит: подложку; первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке; второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа; активный слой, расположенный между первым и вторым слоями; проводящий слой, расположенный на втором слое; первый контакт, нанесенный на подложку; второй контакт, нанесенный на проводящий слой, при этом подложка содержит, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, выполненное в форме усеченной инвертированной пирамиды, при этом первый, второй, активный и проводящий слои нанесены как на горизонтальные участки подложки, так и на внутренние грани отверстий. Изобретение обеспечивает повышение эффективности светоизлучающих полупроводниковых приборов при одновременном подавлении негативных эффектов, связанных с вершинами инвертированных поверхностных пирамид 18 з.п. ф-лы, 3 пр., 5 ил.
Изобретение относится к области лазерной обработки твердых материалов, в частности к способу отделения поверхностных слоев полупроводниковых кристаллов с помощью лазерного излучения
Изобретение относится к двум вариантам способа отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла
Изобретение относится к области светоизлучающих устройств, в частности к высокоэффективным светоизлучающим диодам на основе нитридов элементов третьей группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева и их твердых растворов (далее - III-нитриды)
