Патенты автора Задиранов Юрий Михайлович (RU)
Изобретение относится к технике полупроводников. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, нижний нелегированный РБО (2), внутрирезонаторный контактный слой (3) n-типа, композиционную решетку (5) n-типа, оптический резонатор (6), содержащий активную область (7) на основе по меньшей мере трех слоев In(Al)GaAs квантовых ям (8), композиционную решетку (9) p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру (10), внутрирезонаторный контактный слой (11) p-типа, сильнолегированный фазокорректирующий контактный слой (12) p-типа и верхний диэлектрический РБО (14) на основе SiO2/Ta2O5. Технический результат заключается в снижении электрического сопротивления и порогового тока при повышении дифференциальной эффективности. 13 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к технике полупроводников. Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом включает последовательное эпитаксиальное выращивание на полуизолирующей подложке из GaAs полупроводниковой гетероструктуры, содержащей нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, оптический резонатор с активной областью и апертурным слоем из AlxGa1-xAs р-типа, где 0,97≤х<1, внутрирезонаторный контактный слой р-типа, формирование электрического контакта р-типа; формирование оксидной токовой апертуры в апертурном слое, формирование электрического контакта n-типа и формирование верхнего диэлектрического РБО, формирование пассивирующего и планаризующего слоя с низкой диэлектрической проницаемостью и формирование металлизации контактных площадок р- и n-типа. На внутрирезонаторном контактном слое р-типа последовательно выращивают стоп-слой из AlyGa1-yAs р-типа, где 0,85≤у≤0,95, и сильнолегированный контактный слой из GaAs р-типа, электрический контакт р-типа формируют на сильнолегированном контактном слое р-типа, удаляют химическим травлением через маску сильнолегированный контактный слой р-типа и стоп-слой р-типа в светоизлучающей области до поверхности внутрирезонаторного контактного слоя р-типа, на котором затем формируют верхний диэлектрический РБО. Технический результат заключается в том, что изготовленные настоящим способом лазеры имеют низкий пороговый ток, малое последовательное сопротивление и высокую дифференциальную эффективность. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры А3В5 с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над фотоприемными участками полупроводниковой гетероструктуры химическим травлением через первую фоторезистивную маску, обработку открытых поверхностей пассивирующего слоя ионно-лучевым травлением, осаждение антиотражающего покрытия, удаление первой фоторезистивной маски и лежащих на ней участков диэлектрического антиотражающего покрытия, формирование тыльного омического контакта и формирование фронтального омического контакта по меньшей мере через одну вторую фоторезистивную маску, содержащую подслой из антиотражающего покрытия. Изготовленный фотоэлектрический преобразователь имеет сниженные оптические потери. 3 з.п. ф-лы, 4 пр., 7 ил.
Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Напыляют основу омических контактов на поверхности полосок контактного слоя через маску фоторезиста и на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. После вжигания напыленной основы омических контактов утолщают ее импульсным электрохимическим осаждением слоя золота или серебра толщиной 5-10 мкм на полоски основы омических контактов через маску задубленного фоторезиста с вертикальными боковыми стенками и на основу омического контакта на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. Создают разделительную мезу плазмохимическим травлением фоточувствительной полупроводниковой структуры со стороны фронтальной поверхности на глубину 10-15 мкм через маску задубленного фоторезиста. Наносят защитный слой из термостойкого и химически стойкого диэлектрика на боковую поверхность разделительной мезы. Изобретение обеспечивает изготовление солнечных элементов с минимизированной степенью затенения светочувствительной области, с утолщенными омическими контактами, обладающими высокими электропроводящими свойствами, высокой износостойкостью. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 8 пр.
Изобретение относится к фильтру спектральной очистки для ЭУФ-нанолитографа с экстремальным ультрафиолетовым излучением с пропусканием 30-70% на длине волны 13,4 нм. Фильтр представляет собой многослойную пленку, нанесенную на высоко прозрачную поддерживающую сетку с ячейками, изготовленную из никеля или золота. Пленка содержит от 30 до 50 пар слоев Si и Mo или Zr, или Nb, относительно прозрачных на длине волны 13,4 нм, расположенных симметрично относительно горизонтальной плоскости, разделяющей фильтр на две равные половины по сечению. Ячейки выполнены гексагональными. Также предложен способ изготовления фильтра. Изобретение позволяет повысить прочность поддерживающей сетки, на которой расположен фильтр, и обеспечить ее прозрачность. 2 н. п. ф-лы.
Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Формирование контактной сетки на фотоэлементах осуществляют локальным травлением химическим и ионно-лучевым методами омического контакта и контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя и создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Далее проводят разделение многослойной структуры на чипы и пассивируют боковую поверхность чипов диэлектриком. Способ позволяет уменьшить затенение фоточувствительной поверхности фотоэлементов и одновременно упростить технологию. 1 з.п. ф-лы, 7 пр., 5 ил.
Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к конструкции фотоэлектрических преобразователей
