Патенты автора Рябко Максим Владимирович (RU)

Использование: для определения оптических свойств объемно-рассеивающей среды. Сущность изобретения заключается в том, что система определения оптических свойств объемно-рассеивающей среды с использованием диффузной рефлектометрии, содержащая: источник излучения, выполненный с возможностью обеспечения излучения к объемно-рассеивающей среде в области ввода излучения; оптическую приемную систему, выполненную с возможностью приема излучения, прошедшего через объемно-рассеивающую среду, в области приема излучения для получения распределения интенсивности излучения, при этом оптическая приемная система содержит массив ЖК(жидкокристаллических)-ячеек, массив микролинз и массив фотодетекторов, которые совмещены так, что каждой ЖК-ячейке из массива ЖК-ячеек соответствует соответствующая микролинза из массива микролинз и соответствующий фотодетектор из массива фотодетекторов; разделитель, отделяющий область ввода излучения от области приема излучения и выполненный с возможностью предотвращения попадания излучения, частично отраженного от поверхности объемно-рассеивающей среды в области ввода излучения, в область приема излучения оптической приемной системы; блок управления, выполненный с возможностью управления оптической приемной системой, во время обеспечения излучения к объемно-рассеивающей среде в области ввода излучения, для побуждения оптической приемной системы к последовательному открытию каждой ЖК-ячейки с одновременным приемом излучения, прошедшего через соответствующую открытую ЖК-ячейку и микролинзу, соответствующим фотодетектором из массива фотодетекторов, чтобы получить упомянутое распределение интенсивности излучения; и блок обработки данных, выполненный с возможностью определения оптических свойств объемно-рассеивающей среды на основе распределения интенсивности излучения. Технический результат: обеспечение возможности повышенной точности определения оптических свойств объемно-рассеивающей среды. 3 н. и 21 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к методикам измерения наноразмерных объектов и более конкретно к оптической измерительной системе и соответствующему способу измерения для определения критического размера (CD) для наноразмерных объектов. Оптическая измерительная система на основе оптического микроскопа для измерения CD содержит оптический модуль, выполненный с возможностью освещения образца и регистрации дефокусированных изображений наноструктурированной поверхности образца, модуль управления параметрами оптической системы, модуль измерения комплексной оптической передаточной функции (OTF); модуль вычисления дефокусированных изображений, модуль оценки CD наноструктуры, выполненный с возможностью сравнения зарегистрированных и вычисленных дефокусированных изображений наноструктурированной поверхности и возвращения значения CD наноструктуры в результате упомянутого сравнения. Технический результат состоит в повышении точности определения критического размера путем нахождения наилучшего соответствия между зарегистрированными и вычисленными дефокусированными изображениями с учетом OTF оптической измерительной системы. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых технологий и более конкретно к способу мультиспектральной визуализации для измерения критического размера (КР) наноструктурированных объектов и к устройству, в котором осуществляется данный способ. В способе согласно изобретению получают эталонные распределения интенсивности в нескольких спектральных интервалах при различных положениях образца вдоль оптической оси, формируют библиотеку эталонных матриц; позиционируют исследуемый образец, освещают образец светом с широким частотным спектром, соответствующим видимому диапазону длин волн, собирают рассеянный образцом свет; получают распределения интенсивности рассеянного света для нескольких спектральных интервалов при различных положениях образца вдоль оптической оси, формируют матрицу распределений интенсивности для исследуемого образца и получают информацию о величине КР путем сравнения полученной матрицы распределений интенсивности с библиотекой эталонных матриц. Устройство содержит источник оптического излучения, освещающую оптическую систему, собирающую оптическую систему, блок спектральной селекции, детектор изображения, устройство позиционирования образца и вычислительный блок. Изобретение обеспечивает более эффективное и точное определение критического размера при существенно меньших затратах. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения геометрических параметров нанообъектов. Оптическая измерительная система содержит модуль изменения и контроля параметров оптической схемы и условий освещения; модуль освещения; модуль построения оптического изображения; модуль дефокусирования; модуль регистрации ряда изображений с различной степенью дефокусирования; модуль расчета ряда изображений с различной степенью дефокусирования; модуль сравнения зарегистрированных дефокусированных изображений с рассчитанными изображениями; модуль пользовательского интерфейса. Способ заключается в том, что регистрируют ряд изображений наноструктуры, соответствующих различным длинам волн рассеянного излучения с различной степенью дефокусировки; рассчитывают несколько рядов изображений наноструктуры при значении критического размера, находящемся в известных заданных границах; сравнивают ряд измеренных изображений наноструктуры с соответствующими рядами рассчитанных изображений и определяют наилучшее приближение значения критического размера. Технический результат - обеспечить измерение критического размера наноструктуры на основе обработки дефокусированных изображений без механического сканирования исследуемой наноструктуры вдоль фокуса. 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к технике измерений, а более конкретно к измерению геометрических параметров нанообъектов путем исследования рассеянного излучения при сканировании объектов

Изобретение относится к волоконно-оптическим датчикам тока и работает на принципе эффекта Фарадея

 


Наверх