Патенты автора Сабанов Владимир Харитонович (RU)

Изобретение относится к области технологий получения преобразователей солнечной энергии в электрическую. Способ включает формирование слоя прозрачного проводящего электрода, слоя перовскита и слоя неорганического материала. В качестве слоя неорганического материала используют проводящий наноструктурированный пористый оксид алюминия, поры которого заполняют прекурсором полупроводника р-типа центрифугированием при скорости вращения 3000-3500 об/мин до полного заполнения. В качестве прекурсора используют нагретый до температуры 40-50°С 30%-ный толуольный раствор стеарата никеля, взятый в количестве 0,05-0,1 мл или 10%-ный раствор ацетата никеля в моноэтаноламине, взятый в том же количестве, который сушат в течение 15-20 минут при температуре 100-110°С и в течение такого же времени отжигают при температуре 450±10°С. Изобретение обеспечивает упрощение технологического процесса и снижение энергетических затрат. 1 ил., 2 пр.

Использование: для изготовления сенсорных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ модификации включает пропитку образца фотонного кристалла и отжиг на воздухе. При этом образец фотонного кристалла предварительно помещают в центрифугу, а пропитку его пор осуществляют 0,05-0,06 мл 25-30% толуольным раствором стеорита никеля или цинка или олеата железа при скорости вращения центрифуги 1900-2200 об/мин в течение 0,6-0,4 минут, сушат образец в центрифуге 5-6 минут, затем в термостате при 370-375 K 10-15 минут и отжигают на воздухе при температуре 670-720 K в течение 10-15 минут. Технический результат - обеспечение возможности упрощения технологии заполнения пор фотонного кристалла на основе наноструктурированного оксида алюминия окислами металлов. 3 ил.
Изобретение относится к области химии и может быть использовано для получения оксида магния

 


Наверх