Патенты автора Кабальнов Юрий Аркадьевич (RU)
ЛАТЕРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НА СТРУКТУРАХ "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2767597
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких микросхем радиочастотного диапазона длин волн. Способ изготовления латерального биполярного транзистора на структурах «кремний на изоляторе» согласно изобретению включает формирование размещенных в эпитаксиальном слое кремния областей эмиттера, базы и коллектора, ограниченных по краям боковой диэлектрической изоляцией и двуокиси кремния, с электрической разводкой по металлу с подслоем силицида титана и пассивирующим слоем диэлектрика, при этом легирование области активной базы n-р-n биполярного транзистора выполняют двойной имплантацией ионов бора и BF2+, легирование области n+ коллектора двойной имплантацией ионов фосфора, областей n+ эмиттера и коллектора двойной имплантацией ионов фосфора с большей дозой легирования, легирование области пассивной базы имплантацией ионов бора, через буферные слои двуокиси кремния, с последующим быстрым термическим отжигом радиационных дефектов, при режиме имплантации ионов бора, BF2+ и фосфора выбирают исходя из требования получения после термической активации примеси близкое к равномерному распределение примеси на всю глубину эпитаксиального слоя до границы раздела с «захороненным» диэлектриком в областях эмиттера, базы и коллектора, при этом p-n-р латеральные биполярные транзисторы изготавливают по аналогичной технологии со сменой типа примеси для областей эмиттера, базы и коллектора. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента передачи тока базы и достижение максимальных уровней стойкости к ионизирующему излучению биполярного транзистора. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 2 ил.
Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких оптоэлектронных устройств. Технический результат - создание диодных оптоэлектронных пар с предельными уровнями стойкости к воздействию гамма-нейтронного облучения, соответствующими требованиям к радиационно-стойким устройствам систем управления и связи достигается тем, что кристаллы источника излучения выполняют на основе двойных гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия - алюминия, кристаллы приемника излучения выполняют на основе структур «кремний на сапфире», а в качестве иммерсионной оптической среды используют оптически прозрачный компаунд, при этом источник и приемник оптического излучения согласуют по параметрам путем выбора конструктивного исполнения кристаллов, подбирая рабочую длину волны таким образом, что источник имеет максимальную мощность оптического излучения, а приемник - максимальную величину токовой чувствительности, кроме того, кристаллы источника и приемника излучения монтируют в корпус друг над другом с зазором, сопоставимым с толщиной кристаллов. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Способ повышения радиационной стойкости микросхем статических ОЗУ на структурах "кремний на сапфире" // 2727332
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойкой электронной компонентной базы. Технический результат - повышение уровней радиационной стойкости микросхем статических ОЗУ, выполненных на структурах «кремний на сапфире» (КНС), к эффектам накопленной дозы и импульсного ионизирующего излучения. В способе повышения радиационной стойкости микросхем статических ОЗУ на структурах «кремний на сапфире» легирование р-карманов n-канальных транзисторов, как наиболее чувствительных к ионизирующему излучению, выполняют с использованием двух операций имплантации бором через буферный слой двуокиси кремния с повышением энергии ионов и имплантацией ионами BF2+ с минимальной энергией, обеспечивающей легирование канала транзистора, последующий отжиг радиационных дефектов выполняют при температурах от 850°С до 900°С, при этом дозы легирования выбраны так, чтобы после термической активации получить равномерное распределение примеси с концентрацией в диапазоне от 1⋅1017см-3 до 3⋅1017см-3 в истоковом р-n переходе, легирование обкладок конденсаторов выполняют ионами бора для получения слоя р-типа проводимости, а низколегированные области истоков-стоков выполняют ионами фосфора и бора соответственно с дозами в диапазоне от 3,75⋅1013 ион/см2 до 4,5⋅1013 ион/см2. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к применению люминесцентных комплексных соединений редкоземельных металлов в качестве радиационно-стойких люминесцентных материалов. Описываются комплексные соединения редкоземельных металлов: La, Се, Nd, Sm, Eu, Tb, Yb с органическими лигандами, такими как бензоксазолил-фенол (а), бензотиазолил-фенол (b), бензоксазолил-нафтол (с), бензотиазолил-нафтол (d), пентафторфенол (е), 1-трифторметил-3-тионил-1,3-дикетон (f) и меркаптобензотиазол (g), функционирующие в условиях воздействия импульсного и стационарного ионизирующего гамма-нейтронного излучения. Полная поглощенная доза радиации указанных соединений варьируется в диапазоне 2.6⋅4Ус-0.6⋅5Ус при флюенсе нейтронов в диапазоне 4Ус-2.2⋅5Ус. Полученный на основе указанных соединений люминесцентный материал для оптоэлектронных изделий обладает эффективной люминесценцией в инфракрасной и видимой области спектра до и после воздействия высокой интенсивности гамма-нейтронного излучения спектра деления. 3 ил.
СПОСОБ И СИСТЕМА ИНИЦИИРОВАНИЯ ЗАРЯДОВ // 2684259
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в технических средствах инициирования, в частности в бортовой аппаратуре, для обеспечения безопасности функционирования систем автоматики в условиях воздействия электромагнитного излучения различной природы. В систему инициирования зарядов, включающую блок управления лазером, лазер и блок инициирования, соединенные волоконно-оптической линией связи, введен оптический затвор, состоящий из соединенных между собой и помещенных в единый корпус волоконно-оптического переключателя, фотопреобразователя и схемы запуска таким образом, что волоконно-оптический переключатель соединен с фотопреобразователем волоконно-оптической линией связи, а фотопреобразователь электрически соединен через схему запуска с волоконно-оптическим переключателем, кроме того, лазер посредством волоконно-оптической линии связи соединен с волоконно-оптическим переключателем, который посредством волоконно-оптической линии связи соединен с блоком инициирования. В способе инициирования зарядов, включающем монтаж оптоволоконной линии, связывающей лазер и инициируемые заряды, и управление исполнительным световым сигналом лазера, в оптоволоконную линию монтируют оптический затвор, включающий волоконно-оптический переключатель, фотопреобразователь и схему запуска, управляющий световой сигнал лазера подают на волоконно-оптический переключатель, затем на фотопреобразователь, где преобразуют в электрический импульс, посредством которого замыкают оптоволоконную линию, после чего исполнительный световой сигнал лазера подают на инициируемые заряды. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение надежности работы системы инициирования: исключение несанкционированного запуска системы инициирования при воздействии электромагнитного излучения различной природы. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к способам изготовления структур фотоэлектрических приемных устройств (ФПУ), предназначенных для преобразования светового излучения определенного спектрального диапазона в электрический сигнал. В способе изготовления фотоприемного устройства (ФПУ) путем формирования на подложке топологического рисунка фоточувствительных элементов, областей анода и катода, создания металлизации и пассивирующего покрытия и контактных площадок, резки и сборки кристалла ФПУ в корпусе, для обеспечения стойкости ФПУ к дозовым эффектам и переходным процессам ионизирующего излучения в качестве материала подложки используют гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) технологии «кремний-на-сапфире» (КНС) с толщиной эпитаксиального слоя кремния 5 мкм, проводимостью n-типа с удельным сопротивлением от 4,5 Ом⋅см до 10 Ом⋅см и концентрацией основной примеси не менее 1015см-3. В фотоприемном устройстве, образованном электрическим последовательным, параллельным или последовательно-параллельным соединением элементарных диодов, для обеспечения стойкости к переходным процессам от воздействия импульсного ионизирующего излучения топологические слои сформированы на ГЭС технологии КНС с толщиной эпитаксиального слоя кремния 5 мкм, проводимостью n-типа с удельным сопротивлением от 4,5 Ом⋅см до 10 Ом⋅см, с концентрацией основной примеси не менее 1015см-3 и нанесенным на инверсную сторону ГЭС слоем поликристаллического кремния, а структуры элементарных диодов сформированы в порядке чередования снизу вверх топологических слоев: «активная область», «n-карман», «анод», «катод», «металл», «пассивация». Технический результат - разработка способа изготовления радиационно стойкого приемника оптического излучения (фотоприемного устройства или детектора) на кремниевых диодных структурах технологии «кремний-на-сапфире» (КНС) и его реализация. 2 н. и 34 з.п. ф-лы, 15 табл., 33 ил.
Изобретение относится к измерительной технике
