Патенты автора Рубанович Михаил Григорьевич (RU)

Изобретение относится к СВЧ технике. СВЧ аттенюатор содержит диэлектрическую подложку, на нижнюю поверхность которой нанесено металлизированное покрытие, соединенное с общим корпусом, а на верхнюю поверхность нанесена резистивная пленка, имеющая прямоугольную форму и постоянную величину поверхностного сопротивления. При этом нижняя сторона резистивной пленки по всей длине соединена с общим корпусом через металлизированное покрытие, нанесенное на нижнюю сторону верхней поверхности диэлектрической подложки и соединенное с металлизированным покрытием, нанесенным на нижний торец диэлектрической пластины и соединенным с металлизированным покрытием нижней поверхности диэлектрической подложки. К боковым сторонам резистивной пленки с противоположной стороны от места соединения с металлизированным покрытием подключены соответственно входной и выходной микрополосок. В нижней части резистивной пленки сделан внутренний вырез прямоугольной формы, ширина которого в два раза больше ширины входного микрополоска. Техническим результатом в предлагаемом СВЧ аттенюаторе является уменьшение неравномерности амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) в широкой полосе рабочих частот. 6 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и сверхвысокочастотной (СВЧ) технике и может использоваться в мощных радиопередающих устройствах в качестве эквивалента антенны с дополнительным контрольным выходом для подключения измерительных приборов. Микрополосковая нагрузка содержит полупроводниковую легированную подложку, на одной стороне которой находится металлизированное основание, на другой стороне расположен резистивный полосок. Резистивный полосок микрополосковой нагрузки выполнен в виде поглощающей резистивной пленки, начало которого соединено с входным разъемом, а конец соединен с выходным разъемом, при этом ширина резистивного микрополоска равна ширине полоска линии без потерь с волновым сопротивлением, равным входному сопротивлению микрополосковой нагрузки. Техническим результатом в предлагаемой микрополосковой нагрузке является обеспечение высокого качества согласования и малой неравномерности АЧХ как в области низких, так и в области высоких частот за счет того, что поверхностное сопротивление резистивного полоска однозначно связано функциональной зависимостью с концентрацией легирующей примеси в полупроводниковой подложке. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к СВЧ-технике. Фиксированный аттенюатор высокого уровня мощности выполнен на основе П-образной согласованной структуры, содержащей шесть пленочных микрополосковых резисторов и три четвертьволновых отрезка линии передачи, волновые сопротивления которых выбраны из условия обеспечения режима согласования по входу и выходу. За счет использования четвертьволновых отрезков линии передачи реализовано пространственное разнесение пленочных микрополосковых резисторов. Для компенсации влияния паразитных емкостей пленочных микрополосковых резисторов на входе и выходе фиксированного аттенюатора применены согласующие цепи в виде чебышевского фильтра нижних частот. Техническим результатом является увеличение уровня входной СВЧ-мощности при сохранении полосы рабочих частот. 4 ил.

Изобретение относится к СВЧ, в частности к диплексерам. СВЧ-диплексер содержит фильтр нижних частот и фильтр верхних частот второго порядка, входы которых соединены вместе. Индуктивный элемент фильтра нижних частот выполнен в виде короткозамкнутого шлейфа симметричной ленточной двухпроводной линии на диэлектрике, который установлен перпендикулярно входной несимметричной микрополосковой линии, а емкостной элемент выполнен в виде разомкнутого шлейфа несимметричной микрополосковой линии. Емкостный элемент фильтра верхних частот выполнен в виде разомкнутого шлейфа симметричной ленточной двухпроводной линии на диэлектрике, который установлен перпендикулярно входной несимметричной микрополосковой линии, а индуктивный элемент выполнен в виде короткозамкнутого шлейфа несимметричной микрополосковой линии. Все разомкнутые и короткозамкнутые шлейфы имеют одинаковую длину и одинаковые волновые сопротивления. Технический результат - улучшение качества согласования по входу в верхней части дециметрового и сантиметрового диапазона. 5 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления СВЧ сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот. СВЧ аттенюатор содержит N последовательно включенных друг за другом каскадов, выполненных на планарных пленочных резисторах, общая площадь которых обеспечивает рассеивание заданной мощности входного высокочастотного сигнала, а значения коэффициентов передачи каждого каскада обеспечивают равномерное распределение рассеиваемой мощности в них. Все каскады выполнены в виде Т-образной структуры и расположены на общей диэлектрической подложке, при этом во всех Т-образных структурах площадь каждого пленочного резистора пропорциональна рассеиваемой на нем мощности и ширина крайних пленочных резисторов больше ширины среднего пленочного резистора, а крайние пленочные резисторы смежных Т-образных структур объединены в один общий пленочный резистор, площадь и сопротивление которого равны сумме площадей и сумме сопротивлений соответственно объединенных пленочных резисторов. Технический результат в предлагаемом СВЧ аттенюаторе заключается в упрощении конструкции за счет того, что все пленочные резисторы расположены на одной диэлектрической подложке и не применяются согласующие элементы, а также сохранении высокого уровня мощности входного высокочастотного сигнала за счет выбора площади каждого пленочного резистора пропорционально рассеиваемой на нем мощности. 5 ил., 3 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления высокочастотного сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот. СВЧ аттенюатор выполнен из N симметричных П-образных структур, содержащих пленочные резисторы с уменьшенной в N раз площадью поверхности, которые соединены каскадно через идентичные катушки индуктивности, при этом параллельно входу и выходу СВЧ аттенюатора подключены конденсаторы, которые соединены соответственно с первой и последней симметричной П-образной структурой через такие же катушки индуктивности, а емкость конденсаторов равна входной паразитной емкости симметричных П-образных структур. Технический результат заключается в расширении полосы рабочих частот при сохранении заданного уровня мощности входного высокочастотного сигнала. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления СВЧ сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот. Технический результат - повышение допустимой мощности входного СВЧ сигнала в полосе рабочих частот. Для этого СВЧ аттенюатор содержит диэлектрическую подложку 1, три пленочных резистора 2, 4 и 5, соединенные между собой в виде симметричной Т-образной структуры, в которой значения крайних резисторов 2 и 5 равны друг другу, а значение среднего резистора 4 выбрано из условия обеспечения режима согласования. При этом пленочные резисторы 2, 4 и 5 выполнены в виде резистивной пленки, нанесенной на одну сторону диэлектрической подложки, на другой стороне которой расположено металлизированное основание. В области высоких частот пленочные резисторы 2, 4 и 5 представляют собой отрезки микрополосковых линий передачи одинаковой длины с продольными диссипативными потерями, причем крайние пленочные резисторы 2 и 5 симметричной Т-образной структуры соединены между собой отрезком микрополосковой линии передачи без диссипативных потерь 3, длина которого равна длине крайних пленочных резисторов 2 и 5 и к середине которого подключен один конец среднего пленочного резистора 4, другой конец которого соединен с металлизированным основанием. 7 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ и может найти широкое применение в системах активных фазированных антенных решеток, радиопередающих устройствах и системах, использующих мощность СВЧ

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть использовано в антенно-фидерных устройствах в качестве эквивалента антенны и оконечно-согласованной нагрузки в коаксиальных и полосковых СВЧ трактах с высоким уровнем мощности

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для коррекции формы амплитудно-частотных характеристик широкополосных усилительных устройств и аттенюаторов, используемых в системах связи, телевидении и измерительном оборудовании

 


Наверх