Патенты автора ГРЕБНЕР Госберт (DE)
Группа изобретений относится к способам изготовления штукатурной плиты и штукатурным плитам. По одному из вариантов способ изготовления гипсовой штукатурной плиты содержит этапы, на которых: используя первый смеситель, обеспечивают первую суспензию гипса определенного вида; используя отдельный второй смеситель, обеспечивают вторую суспензию гипса определенного вида, причем между первым и вторым смесителями отсутствует жидкостное соединение; наносят первую часть второй суспензии так, что образуется нижний слой второй суспензии; наносят вторую часть второй суспензии так, что образуется верхний слой второй суспензии; наносят по меньшей мере часть первой суспензии на нижний и/или верхний слой так, что между нижним и верхним слоями образуется центральный слой первой суспензии. Технический результат заключается в повышении эффективности изготовления штукатурной плиты. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 3 ил.
Настоящее изобретение касается гипсовой штукатурной плиты, содержащей первый внешний слой, предпочтительно бумажный слой (111), первый промежуточный слой (112), образованный второй гипсовой суспензией S2, центральный слой (113), образованный первой гипсовой суспензией S1, второй промежуточный слой (114), образованный третьей гипсовой суспензией S3, и второй внешний слой, в частности бумажный слой (115), причем первый промежуточный слой (112) расположен между первым внешним слоем (111) и слоем (113) сердцевины, а второй промежуточный слой (114) расположен между вторым внешним слоем (115) и слоем (113) сердцевины, причем промежуточные слои (112, 114) имеют, по меньшей мере, в основном постоянную толщину от 0,1 до 3 мм, предпочтительно от 0,2 до 1 мм, причем первая гипсовая суспензия содержит по меньшей мере 80% (по массе) всех гипсовых суспензий (S1, S2, S3) и причем первую гипсовую суспензию готовят и вводят с более низким процентным содержанием воды (по массе), чем вторую S2 и/или третью S3 гипсовую суспензию. Изобретение также относится к способу изготовления гипсовой штукатурной плиты. Изобретение развито в зависимых пунктах формулы изобретения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 табл.
Группа изобретений относится к производству штукатурной плиты. Установка для производства штукатурной плиты содержит ленточное транспортирующее устройство (10), имеющее поддерживающий ремень (11), первый канал подачи (24) для первой оболочки (12), такой, что первую оболочку (12) направляют на поддерживающий ремень (11), канал подачи (22) гипса, подающий со смесителя (23) гипсовую суспензию (13) на первую оболочку (12) с целью сформировать таким способом гипсовый намет (14) на первой оболочке (12). Кроме того, установка содержит второй канал подачи (25) для второй оболочки (15), такой, что вторую оболочку (15) наносят на гипсовый намет (14) и формируют гипсовый слой (16), содержащий первую оболочку (12), гипсовый намет (14) и вторую оболочку (15), а также выравнивающее устройство, такое как, например, выравнивающий брусок (17) или выравнивающий валик с целью выравнивания гипсового слоя (16), и дозирующее устройство (26). При этом дозирующее устройство (26) сконструировано и установлено для уменьшения по сравнению с заданным количеством VV количества V(t) гипсовой суспензии (13), введенной между первой оболочкой (12) и второй оболочкой (15), с заранее заданной частотой синхронизации f за заранее заданный промежуток времени tΔ. Причем дозирующее устройство расположено вблизи от формовочного стола (28), предпочтительно интегрировано внутрь формовочного стола (28), на котором формируют и запрессовывают гипсовый слой (16) путем соединения первой оболочки (12), гипсовой суспензии (13) и второй оболочки (15). При этом дозирующее устройство (26) содержит ограничительное лезвие (29) или ограничительный валик, расположенное перпендикулярно по отношению к направлению движения ленточного транспортирующего устройства (10) и сконструированное подвижным в направлении гипсового намета (14) с заранее заданным ходом h в направлении ортогональном к направлению движения и в продольном направлении ограничительного лезвия (29) или ограничительного валика. Техническим результатом является повышение эффективности противодействия эффектам, которые могут возникать ввиду намеченной деформации материала в области затвердевания гипсового слоя. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к способу получения защищающей от излучения плиты на основе гипса, плите, защищающей от излучения, гипсокартонной конструкции, применению указанной плиты или гипсокартонной конструкции
