Патенты автора Королев Дмитрий Сергеевич (RU)
Изобретение относится к мемристорной технологии генерации случайных чисел. Технический результат - упрощение подготовки стохастических сигналов и повышение эффективности и технологичности формирования последовательности случайных чисел. Для достижения указанного технического результата предлагается использовать в качестве мемристорного источника стохастических сигналов параллельно соединённые мемристоры, имеющих структуру Au/Zr/ZrO2(Y)/TiN/Ti и максимально приближенные друг к другу по рабочим характеристикам их переключения из высокоомного в низкоомное состояние, в количестве, трех; трехканального блока одновременной подачи на указанные мемристоры серии импульсов напряжения, в каждом канале которого смонтированы последовательно соединённые масштабирующий усилитель и ограничитель обратного тока мемристора, соединённые на канальном входе с цифро-аналоговым преобразователем и подключённые на канальном выходе с многоканальным входом мультиплексора; модуля обработки указанных стохастических сигналов, снабжённого одноканальной измерительной цепью, в которой смонтированы последовательно соединённые инвертирующий и масштабирующий усилители. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Технический результат от использования предлагаемого способа формирования гексагональной фазы кремния - повышение эффективности формирования указанной фазы за счет повышения технологичности указанного формирования в результате его упрощения. Для достижения указанного технического результата в способе формирования фазы гексагонального кремния, включающем получение на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, пленки оксида кремния, имплантацию в нее ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомные радиусы элементов, входящих в состав этой пленки, и вызывающих в указанной пленке и прилегающем к ней подповерхностном слое пластины повышенные механические напряжения, достаточные для преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, и постимплантационный отжиг, в упомянутую пленку оксида кремния производят имплантацию ионов криптона, причем толщину получаемой пленки оксида кремния и энергию и дозу ионов криптона выбирают из интервалов величин толщины пленки оксида кремния от 50 до 150 нм, энергии ионов криптона от 40 до 80 кэВ и дозы ионов криптона от 1⋅1016 до 1⋅1017 см-2 при условии обеспечения при этом максимальной концентрации ионов криптона в пленке оксида кремния на глубине, составляющей 40-60% от толщины этой пленки. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала. Технический результат: обеспечение возможности оптимального сочетания повышенной технологичности изготовления указанного мемристора и стабилизации работы резистивной памяти мемристора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам ионно-лучевого синтеза нановключений нитрида галлия в кремнии, и может быть использовано при изготовлении устройств опто- и микроэлектроники нового поколения. Способ ионно-лучевого синтеза нитрида галлия в кремниевой пластине включает последовательную основную имплантацию в кремниевую пластину ионов азота и галлия. Сначала обеспечивают синтез слоя нитрида кремния в кремниевой пластине путём предварительной имплантации ионов азота с дозой в интервале 3⋅1016 ат/см2 – 5⋅1017 ат/см2, c энергией ионов азота, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов азота меньше среднего проецированного пробега ионов азота и галлия при последовательной основной имплантации, и последующий термический отжиг в инертной атмосфере при температуре 900-1200°С в течение 15-60 мин. Затем проводят последовательную основную имплантацию ионов азота и галлия с дозой в интервале 5⋅1016ат/см2 – 5⋅1017 ат/см2 и последующий термический отжиг в инертной атмосфере при температуре 700-900°С в течение 30-60 мин или при температуре 800-1000°С в режиме быстрого термического отжига. В частных случаях осуществления изобретения последовательную основную имплантацию ионов азота и галлия проводят в прямой или обратной последовательности. После последовательной основной имплантации ионов азота и галлия и последующего термического отжига в инертной атмосфере проводят имплантацию ионов азота с энергией, равной энергии ионов азота при последовательной основной имплантации, с дозой, при которой концентрация ионов азота равна или больше концентрации атомов галлия в элементарном галлии. Обеспечивается повышение эффективности образования включений фазы нитрида галлия за счет уменьшения степени выхода имплантированного Ga из пластины кремния, расширяется арсенал технических средств синтеза нитрида галлия в кремнии с использованием широкодоступного серийного стандартного имплантационного оборудования, хорошо совместимого с технологией обработки кремния. 2 з.п. ф-лы, 5 ил., 1пр.
Группа изобретений относится к способам имитационного тестирования изделий микро- и наноэлектроники. На приборную структуру воздействуют эквивалентным облучением ионами с флюенсом от 109 см-2 до 1015 см-2 и энергией в интервале 1-500 кэВ, уточняемыми в зависимости от состава и морфологии структуры, при этом уточняемые величины флюенса и энергии ионов, обеспечивающие эквивалентность, определяют расчетом, путем компьютерного моделирования концентрации и распределения смещенных атомов при облучении ионами в чувствительных областях приборной структуры и сравнения с результатами такого же компьютерного моделирования при облучении быстрыми нейтронами, причем для установления правильности расчета эквивалентного флюенса выбирают флюенс ионного облучения, при котором изменение критериальных параметров превышает порог чувствительности средства контроля критериальных параметров, определяют соответствующий эквивалентный флюенс облучения быстрыми нейтронами, проводят разовое натурное испытание облучением приборной структуры быстрыми нейтронами при эквивалентном флюенсе, сравнивают полученное отклонение критериальных параметров с отклонением при выбранном флюенсе ионного облучения и судят по результату сравнения о правильности расчета эквивалентного флюенса. Технический результат - повышение достоверности результатов испытаний, сокращение времени испытания, использование доступного для исследователей оборудования. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 13 ил., 2 табл.
КОМПЬЮТЕРНАЯ СИСТЕМА // 2579949
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в оптимизации выполнения программы инициализации из внешнего последовательного ПЗУ путем отображения адресов данных, располагающихся во внешнем последовательном ПЗУ, в адресное пространство микропроцессора. Компьютерная система включает в себя систему на кристалле и внешнее последовательное ПЗУ, причем система на кристалле включает в себя: микропроцессор, содержащий, по меньшей мере, одно микропроцессорное ядро; контроллер внешнего последовательного ПЗУ; устройство прямого отображения адресов данных, располагающихся во внешнем последовательном ПЗУ, в адресное пространство микропроцессора; по меньшей мере, одно интерфейсное устройство; по меньшей мере, одно устройство внутренней памяти; и устройство внутренней коммутации, обеспечивающее взаимодействие между микропроцессором и остальными устройствами системы на кристалле; при этом устройство прямого отображения адресов данных, располагающихся во внешнем последовательном ПЗУ, в адресное пространство микропроцессора содержит регистр считанных данных, регистр адреса и конечный автомат устройства прямого отображения адресов. 31 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении требований к объему ОЗУ при возможности отказа от встроенных в микросхему начального микроПЗУ и внутреннего загрузочного ОЗУ. Устройство прямого отображения адресов данных, располагающихся во внешнем последовательном ПЗУ, в адресное пространство микропроцессорного ядра включает в себя регистр считанных данных, регистр адреса и конечный автомат устройства прямого отображения адресов с возможностью осуществления прямого отображения адресов данных, располагающихся во внешнем последовательном ПЗУ, в адресное пространство микропроцессорного ядра, преобразования запросов на чтение со стороны микропроцессорного ядра в последовательность обращений к контроллеру внешнего последовательного ПЗУ и передачи по шине данных последовательности слов данных, считанных из внешнего последовательного ПЗУ, в микропроцессорное ядро. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области механической обработки металлов резанием, шлифованием и давлением конструкционных сталей, а также очистки цеховых, складских помещений и мытья рук цеховых рабочих, обслуживающего персонала
