Патенты автора Исмаилов Абубакар Магомедович (RU)

Способ получения инфракрасного фоторезистора на основе кристалла CdSxSe1-x, отличающийся тем, что на кристалл CdSxSe1-x методом электролиза одновременно наносятся легирующие примесями Cu, Се и Sb, который затем подвергается термоотжигу при t=800±50°С, чем достигается более высокая вольт-ваттная чувствительность (порядка 105 В/Ват) к свету из ближней спектральной области инфракрасного излучения. Фоточувствительность полученного данным способом фоторезистора сохраняется до 140°С. Фоторезистор может быть использован в оптоэлектронных устройствах, таких как неохлаждаемый высокотемпературный приемник ближнего спектрального диапазона ИК излучения. 4 ил.

Изобретение относится к области радиационно-химической обработки кристаллических материалов. Способ травления поверхности сапфировых пластин включает обработку электронным пучком, предварительно на поверхность сапфира наносят слой золота толщиной 100÷120 нм, отжигают полученный композит на воздухе при температуре 600÷700°С, в течение 120÷180 минут для формирования дискретной структуры наночастиц золота, а затем облучают поверхность непрерывным пучком электронов с энергией в диапазоне Е≈40÷70 кэВ, в течение 2÷5 мин. Изобретение обеспечивает возможность формирования субмикронного рельефа на сверхгладкой поверхности сапфировых пластин. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при производстве изделий микроэлектроники

 


Наверх