Патенты автора Фурсова Татьяна Николаевна (RU)

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ позволяет получать кристаллы ZnS с однородным распределением легирующей добавки по их длине и концентрацией легирующего металла (железа или хрома), совпадающей с его содержанием в исходной загрузке. 1 ил., 1 табл., 6 пр.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой. Изобретение обеспечивает получение кристаллов ZnSe с концентрацией хрома, практически совпадающей с содержанием Cr в исходной загрузке. 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области прикладной инфракрасной (ИК) спектроскопии и может быть использовано при оптических исследованиях порошкообразных материалов, преимущественно сильно поглощающих, в частности, таких как нанографит и другие углеродные наноматериалы

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы

 


Наверх