Патенты автора Рябцева Марина Викторовна (RU)
Изобретение относится к способам получения кварцевого стекла высокой степени чистоты по золь-гель-процессу и может быть использовано для производства изделий электронной и оптической, в частности лазерной, промышленности. Предложен способ получения гранул особо чистого диоксида кремния гидролизом тетраэтоксисилана (ТЭОС) с особо чистым водным раствором азотной кислоты, при этом вначале в раствор азотной кислоты предварительно добавляют этанол, затем при перемешивании в течение 10-25 мин проводят гидролиз ТЭОС в соотношении ТЭОС:водный раствор азотной кислоты с этанолом 1:(2-2,5) с рН от 3,5 до 6, далее добавляют разбавленный раствор аммиака с доведением рН до 9-10 и продолжают перемешивание в течение 8-15 мин при температуре 20-60°С, после чего проводят сушку полученной в виде геля гидроокиси кремния при перемешивании с одновременной отгонкой водно-спиртовой смеси с образованием твердых частиц ортокремниевой кислоты, после чего удаляют остатки органических веществ и основной массы гидроксильных групп веществ путем термообработки ортокремниевой кислоты при температуре от 200 до 250°С в течение 50-80 мин, а затем проводят отсев твердых частиц ортокремниевой кислоты с размером менее 0,05 мм, а оставшиеся твердые частицы прокаливают при температуре от 1100 до 1300°С в течение от 3 до 5 ч с получением гранул особо чистого диоксида кремния размером от 0,05 до 0,50 мм. Технический результат – получение гранул особо чистого диоксида кремния с выходом не менее 93% мас. 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 пр.
Изобретение относится к способам получения кристобалита. Описан способ получения особо чистого порошкообразного кристобалита, заключающийся в том, что порошкообразный аморфный диоксид кремния засыпают в печь из кварцевого стекла и проводят его двухстадийную температурную обработку, причем, после засыпки в печь порошкообразный аморфный диоксид кремния заливают разбавленным 0,5÷5% водным раствором азотной кислоты, причем полученную смесь выдерживают при перемешивании и нагревании до 90÷95°С в течение 40 мин, после этого ее отстаивают, декантируют и дважды промывают деионизированной особо чистой водой с последующей сушкой при температуре 150±1°С в течение 90 мин, а затем проводят двухстадийную температурную обработку порошкообразного высушенного продукта сначала при температуре 1000±5°С в течение от 60 до 90 мин в потоке воздуха особой чистоты, а после этого при температуре от 1250 до 1300°С±5°С в течение от 2 до 4 часов с образованием таким образом в печи порошкообразного кристобалита особой чистоты. Технический результат - получение особо чистого порошкообразного кристобалита. 2 з.п. ф-лы, 2 пр.
Изобретение относится к способам очистки низших тетраалкоксисиланов, в частности тетраметоксисилана, который может быть применен в микроэлектронике и для шихт для волоконно-оптического стекловарения
Изобретение относится к глубокой очистке алкилсилоксанов и алкилсилазанов, применяемых в производстве фоторезисторов и микроэлектронике
Изобретение относится к способам глубокой очистки треххлористого фосфора, являющегося исходным продуктом для получения полупроводниковых соединений