Патенты автора Мантузов Антон Викторович (RU)

Изобретение относится к водной композиции для химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых материалов, в частности Ge, GaAs, PbTe, CdSb, InAs, ZnAs2 и др. Предложена композиция для ХМП при следующем соотношении компонентов в мас. %: наноразмерные частицы коллоидного диоксида кремния 5-30; моноэтаноламин 5,5-10; перекись водорода (20-30%) 3-4; глицерин 2-4; дистиллированная вода - остальное. Технический результат – предложенная композиция позволяет получить бездефектные зеркально гладкие (нано- и субнаношероховатые) поверхности полупроводниковых материалов без царапин и сколов и улучшить качество подложек в различных производственных процессах при изготовлении элементной базы. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к устройству токоподвода к электроду для электролитического получения окислителей перекисного типа, содержащее выполненный с выемкой электрод, токоподводящую штангу, установленную в выемку с образованием кольцевого зазора, в который помещен легкоплавкий сплав. Устройство характеризуется тем, что стеклоуглеродный электрод устанавливается в выемку токопроводящей штанги-каркаса, заполненную сплавом состава, мас.%: Pb 50±1%, Bi 37,5±1%, Sn 12,5±0,1%. Техническим результатом предлагаемого изобретения является создание электропроводного, коррозионностойкого устройства токоподвода к электроду из стеклоуглерода для электролитического получения окислителей перекисного типа, позволяющего увеличить срок службы электрода, сократить энергозатраты при получении окислителей перекисного типа и обеспечить спаивание трудно соединяемых материалов. 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр., 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к процессам электрохимического формирования пористого кремния, перспективного структурированного материала. Техническим результатом изобретения является устранение недостатков традиционных электролитических способов, а именно применение в них дорогостоящей платины в качестве контрэлектрода, экологическая опасность, использование коррозионно-активных агентов и пожароопасных органических компонент, ограничение возможностей электрохимического формирования пористого кремния - только на монокристаллических образцах. Технический результат достигается путем разработки неэлектролитического способа формирования пористых слоев кремния. Заявленный способ формирования слоя пористого кремния на кристаллической подложке с использованием внутреннего источника тока в электролите состоит в том, что слои пористого кремния на поликристаллической подложке p-Si получают неэлектролитическим путем в отсутствие контрэлектрода в растворе 40% NH4HF2 с постоянной инжекцией озон-кислородной смеси с дозой озона не более 7,5 мг/л. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электролизеру с неподвижными электродами для электрохимической очистки сточных вод и получения нескольких неорганических перекисных соединений, содержащему коаксиально установленные катод и анод цилиндрической формы, разделенные ионоселективной мембраной. При этом анод выполнен из стеклоуглерода марки СУ-2000, катод изготовлен из никеля, причем внутри катода установлен технологический узел Ni сетка + углеграфитовый волокнистый материал - катализатор/сорбент, катод соединен с днищем и крышкой, образуя корпус электролизера, на дне катодного пространства устанавливают металлокерамические распиливающие элементы. Технической задачей данного изобретения является создание универсальной установки-электролизера, позволяющей снизить энергоемкость, материалоемкость и эксплуатационные расходы, а также с высокой эффективностью не только очищать сточные воды с широким спектром загрязнений, но и получать несколько неорганических перекисных соединений. 4 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 пр.

Изобретение относится к способу получения озона, заключающемуся в электролизе водного раствора кислого фтористого аммония с концентрацией 30-40% NH4HF2, осуществляемом в диафрагменном электролизере с анодом из стеклоуглерода при анодной плотности тока ниже 1,8 А/см2 в условиях охлаждения системы электролит - электроды в диапазоне температуры 0-30°С. Способ характеризуется тем, что процесс ведут при анодной плотности тока 0,05-0,3 А/см2, а анод охлаждают до температуры +10±5°С. В результате получают одновременно два окислителя: озон и дополнительно - дифторид кислорода, что на практике значительно влияет на эффективность процессов, например, водоочистки или водоподготовки. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к химической промышленности, энергетике и может быть использовано для очистки промышленных и бытовых стоков. Аппарат вихревого слоя содержит сменный картридж (2) из немагнитного материала со вставками из ферромагнитного материала, установленный в активной зоне трубы (4). Картридж (2) представляет собой цилиндр, закрытый с торцов вихревыми диффузорами с лопастями (7), перекрывающими друг друга, внутри которого установлен стержень (9). В реакционной камере (6) находятся ферромагнитные частицы. Электромагнитный индуктор (1) создает в рабочей зоне вращающееся магнитное поле. Изобретение позволяет повысить эффективность и качество обработки жидкости, а также упростить эксплуатацию аппарата. 3 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF4 или NH4HF2. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к технологии электрохимических производств, в частности к конструкции электролизеров для получения водорода и озон-кислородной смеси, и может найти применение для нужд энергетики (охлаждение водородных генераторов на ТЭЦ, ГРЭС и АЭС), электроники (очистка поверхности полупроводниковых пластин). Электролизер для получения водорода и озон-кислородной смеси содержит анод и катод цилиндрической формы, расположенные коаксиально и скрепленные сверху и снизу фторопластовыми деталями, обеспечивающими подачу электролита и отвод электролита и газа, при этом корпусом служит катод, а анод расположен внутри катода. Анод выполнен в виде электропроводящей никелевой трубы со стеклоуглеродным покрытием, катод изготовлен из нержавеющей стали с никелевым покрытием или никеля, в качестве охлаждающей жидкости используют электролит, при этом электролизер связан с насосом, рефрижератором, емкостью с рабочим электролитом, дозирующим насосом, емкостью с концентратом электролита и деионизированной водой, а также с блоком анализа качества электролита. Технический результат - упрощение конструкции электролизера, увеличение удельной производительности, снижение материалоемкости, обеспечение надежности, простоты монтажа и эксплуатации. 2 ил.

Изобретение относится к очистке поверхности полупроводниковых пластин от металлических загрязнений, а также к регенерации отработанных травильных растворов и может быть использовано в радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности

Изобретение относится к устройствам для получения водотопливных эмульсий и может использоваться в энергетической, нефтегазодобывающей, металлургической, химической, автомобильной и других областях промышленности, в частности, при сжигании топлива в котельных, котлах ТЭЦ, ТЭС, котлах цехов металлургических заводов

 


Наверх