Патенты автора Аристархова Алевтина Анатольевна (RU)
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к физико-аналитическому оборудованию по исследованию и контролю свойств поверхности материалов в вакууме, а также для контроля характеристик межфазных границ, и может быть использовано в технологии производства пленочных систем, в электрохимии, в материаловедении. Технический результат направлен на повышение достоверности и точности результатов определения контактной разности потенциалов. Устройство измерения контактной разности потенциалов содержит электронную пушку с формирователем электронного пучка и с катодным узлом, состоящим из катода и модулятора с диафрагмой, внутри которого расположен катод, а также держатель измеряемого объекта, источник питания пушки, источник напряжения с переключаемой полярностью выходного напряжения, измеритель напряжения, соединенный с держателем измеряемого объекта и с катодом электронной пушки, измеритель тока между держателем объекта и катодом электронной пушки. Для достижения технического результата катод электронной пушки выполнен из плоской ленты, шириной больше диаметра отверстия диафрагмы модулятора и расположенной параллельно плоскости диафрагмы модулятора на расстоянии меньше диаметра отверстия диафрагмы, а формирователь электронного пучка содержит не менее четырех электродов линзовых систем. 1 ил.
Изобретение относится к способам получения электрической энергии и может быть использовано для создания морской электростанции по преобразованию потенциальной энергии ионов морской воды в энергию электрического тока, а также по созданию преобразователей энергии ионов плазмы в электрическую энергию. Технический результат - повышение эффективности способа получения электрической энергии использованием природной естественной ионизованной среды - морской воды как электролита. В способе получения электрической энергии, заключающемся в размещении двух электродов в ионизованной электрически нейтральной среде, в разделении свободных заряженных частиц ионизованной электрически нейтральной среды по знаку заряда, переносе зарядов заряженных частиц на электроды и пропускании электрического тока между электродами по внешней цепи нагрузки-потребителя энергии, разделение заряженных частиц осуществляется электрическим полем контактной разности потенциалов между поверхностями электродов, а перенос электрического заряда с заряженных частиц на электроды осуществляется нейтрализацией заряженных частиц на поверхностях электродов, достигаемой выбором материала отрицательного электрода с работой выхода электрона с поверхности еφ- больше энергии сродства S отрицательных частиц (еφ->S), а положительного электрода с работой выхода электрона с поверхности еφ+ меньше энергии ионизации eVi положительных ионов (eφ+<eVi). Предлагаемый способ по принципу действия не ограничивает ресурс зарядовой емкости. При использовании в качестве электролита морской воды можно энергию получать неограниченно. 1 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени травления. В способе определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для удаления пленок с немаскированных поверхностей и получения чистой поверхности осуществляется травление нескольких пластин в течение разных длительностей времени, определяются количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин и определяется длительность времени травления по времени травления пластины с минимальным количеством загрязняющих примесей на поверхности, при этом определение количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин производится зондированием поверхностей ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ, плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90° и по энергиям и величинам максимумов в спектре определяется соответственно тип и количество загрязняющих примесей. 1 ил.
Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ определения атомного состава активных примесей в жидких средах заключается в подготовке анализируемого объекта и размещении его в вакууме. Затем осуществляют облучение поверхности пучком заряженных частиц и регистрацию вторичных частиц, по которым определяют состав атомов поверхности. При этом подготовку анализируемого объекта осуществляют подготовкой поверхности полупроводниковой пластины химическим травлением, обработкой в перекисно-аммиачном растворе и отмывкой в деионизованной воде. На подготовленную поверхность чистой полупроводниковой пластины наносят каплю анализируемой жидкости размером не менее микрона на поверхность, затем ее удаляют, а для анализа облучают пучком заряженных частиц след удаленной капли. Технический результат направлен на повышение экспрессности анализа, а также на улучшение предела обнаружения, в частности, не менее чем 10-100 раз.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭМИТТЕРА С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ СРОДСТВОМ ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА // 2513662
Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона заключается в нагреве поверхности подложки (основы) из легированного арсенида галлия с дырочной проводимостью (p-GaAs), снижении температуры до комнатной, напыления на поверхность подложки поочередно атомов цезия и кислорода, измерения тока фотоэмиссии с поверхности. При этом подложку нагревают до повышения концентрации мышьяка на поверхности более чем в 1.5 раза, затем фиксируют состав поверхности резким снижением температуры подложки до комнатной температуры, затем напыляют поочередно атомы цезия и кислорода дозами долей монослоя до образования цезиевой пленки моноатомной толщины, затем эмиттер помещают на несколько минут в атмосферу инертного газа. Изобретение обеспечивает увеличение фоточувствительности и повышение времени технологической жизни, интервала времени после формирования до запайки в прибор, уменьшение глубины анализируемого слоя, повышение достоверности результатов анализа и повышение совместимости аппаратуры для его реализации с другими методами анализа и технологическим оборудованием. 4 ил.
Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий, регистрируют энергетический спектр отраженных ионов от поверхности, измеряют энергетическое положение и величины пиков адатомов субнанослойной пленки и пиков атомов адсорбента (подложки) в энергетическом спектре отраженных ионов, по энергетическому положению пиков в спектре определяют типы адатомов и атомов подложки, затем такие измерения проводят на тест-объекте с различными концентрациями адатомов в пределах от чистой поверхности адсорбента (подложки) до одного моноатомного слоя, далее определяют зависимости величин пиков тест-подложки и адатомов от концентрации адатомов, по отношениям величин пиков адатомов и подложки анализируемого объекта и тест-объекта соответственно определяют концентрацию адатомов на поверхности анализируемого объекта, затем с использованием спектров для чистых массивных материалов подложки и адатомов по линейной экстраполяции определяют величины пиков для найденных концентраций, затем по отношениям измеренных пиков адатомов и подложки анализируемого объекта к линейно-экстраполированным величинам пиков определяют зарядовое состояние адатомов и атомов подложки (адсорбента). Технический результат: уменьшение глубины анализируемого слоя и повышение достоверности результатов анализа. 4 ил.
Использование: для определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины. Сущность заключается в том, что выполняют бомбардировку поверхности пучком ионов и регистрацию интенсивности отраженных ионов, при этом анализируемую поверхность бомбардируют ионами инертного газа с энергией менее 100 эВ и регистрируют энергетический спектр отраженных ионов в диапазоне энергий, больше энергии первичных ионов, затем по энергиям пиков парного соударения в полученном спектре определяют типы атомов в одном верхнем монослое атомов, по наличию пика с энергией, равной энергии бомбардирующих ионов, судят о наличии кристаллической фазы на аморфной или аморфизованной поверхности, в том числе в пленке наноразмерной толщины, а по отношению величин указанного пика без потерь энергии к пику или пикам парного соударения определяют поверхностную концентрацию кристаллической фазы на аморфной или аморфизованной поверхности. Технический результат: уменьшение глубины анализируемого слоя до субнаноразмерных величин, повышение достоверности результатов анализа и повышение совместимости аппаратуры для реализации способа с другими методами анализа и технологическим оборудованием. 2 ил.
ИСТОЧНИК ПОСТОЯННОГО ТОКА // 2448392
Изобретение относится к электрохимической и электротехнической промышленностям и может быть использовано в разработке производства источников постоянного тока в виде аккумуляторов, источников разового пользования и непрерывного действия аналогично топливным элементам, предназначенным для автономного питания электро- и радиотехнических устройств
