Патенты автора Сироткин Анатолий Андреевич (RU)
Способ лечения петехиально-арахноидальной и линейной форм капиллярной ангиодисплазии кожи у детей // 2792539
Изобретение относится к медицине, а именно к дерматологии. При лечении петехиально-арахноидальной формы капиллярной ангиодисплазии транскутанной селективной фотодеструкции (ТСФ) используют лазерное излучение с длиной волны 525 нм, а ТСФ проводят, располагая торец манипулятора контактно и перпендикулярно к поверхности кожи над центральным петехиальным сосудистым элементом. При залегании центрального сосудистого элемента на глубину от 0,5 до 1,0 мм от поверхности кожи используют лазерное излучение мощностью 2,0 Вт, длительностью импульса 1,6 мс, частотой следования импульсов 50 Гц, диаметром лазерного пятна 1 мм и временем экспозиции 2,0 сек. При залегании центрального сосудистого элемента на глубину от 0,5 до 1,0 мм от поверхности кожи используют лазерное излучение мощностью 3,0 Вт, длительностью импульса 30 мс, частотой следования импульсов 50 Гц, диаметром лазерного пятна 1 мм и временем экспозиции 2,5 сек. При лечении линейной формы капиллярной ангиодисплазии ТСФ осуществляют, используя лазерное излучение с длиной волны 525 нм, перемещая перпендикулярно и контактно расположенный к поверхности кожи торец манипулятора по всей длине расширенного сосудистого элемента. При диаметре расширенного капиллярного сосудистого элемента менее 0,5 мм ТСФ осуществляют лазерным излучением мощностью 2,0 Вт, длительностью импульса 1,6 мс, частотой следования импульсов 50 Гц, диаметром лазерного пятна 1 мм, со скоростью сканирования 1,0 см в секунду. При диаметре расширенного капиллярного сосудистого элемента от 0,5 до 1,0 мм ТСФ осуществляют лазерным излучением мощностью 3,0 Вт, длительностью импульса 30 мс, частотой следования импульсов 50 Гц, диаметром лазерного пятна 1 мм, со скоростью сканирования 0,5 см в секунду. Способ обеспечивает радикальное контролируемое деструктивное воздействие на субэпителиальные сосудистые структуры капиллярной ангиодисплазии кожи, без повреждения окружающих тканевых структур и эпителия, способствует достижению хорошего клинического и эстетического результата лечения. 16 ил., 2 табл., 4 пр.
Изобретение относится к медицинской технике. Установка содержит два твердотельных лазерных излучателя, первый с длиной волны 2.7-3.0 мкм, которая совпадает с максимумом поглощения в воде, и второй с длиной волны 520-585 нм, которая находится вблизи максимума поглощения в гемоглобине крови, световод для доставки излучений, при этом первый излучатель выполнен в виде твердотельного лазера с накачкой полупроводниковым диодом, состоящим из активного элемента на основе кристаллов, легированных ионами Еr3+, Но3+, Dy3+ или Сr2+, второй излучатель выполнен в виде твердотельного лазера на базе Nd3+:YAP-лазера с диодной накачкой, с активной А-О модуляцией добротности и внутрирезонаторным преобразованием излучения в нелинейном кристалле КТР и работает на длине волны λ=540 нм. Дополнительно установка содержит активный или пассивный акустооптический затвор, подключенный к генератору синусоидальных напряжений для модуляции добротности, систему ввода желто-зеленого, трехмикронного и пилотного красного излучения в оптическое волокно. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к медицинской технике и может быть использовано для лечения сосудистых образований кожи и подкожной клетчатки. Твердотельная лазерная установка с диодной накачкой для лечения сосудистых образований кожи и подкожной клетчатки, содержащая лазер, работающий в желто-зеленом диапазоне длин волн, источник питания, излучатель с системой накачки, систему управления и оптоволоконную систему транспортировки лазерного излучения, при этом установка дополнительно содержит преобразователи излучения в инфракрасную область спектра (1150-1250 нм), генератор второй гармоники или генератор суммарной частоты для преобразования излучения в желто-зеленую область спектра на нелинейных кристаллах и генератор синусоидальных напряжений, при этом излучатель выполнен в виде твердотельного лазера с накачкой полупроводниковым диодом, состоящим из неодимсодержащего активного элемента, полупрозрачного зеркала и размещенного между ними акустооптического затвора, подключенного к генератору синусоидальных напряжений. Активный элемент выполнен в виде кристалла алюмината иттрия YAP:Nd3+, преобразователь излучения в инфракрасную область спектра (1150-1250 нм) выполнен в виде кристалла форстерита Мg2SiO4:Cr3+, установленного в блоке охлаждения, а для преобразования излучения во вторую гармонику либо в излучение суммарной частоты, в генераторе используют нелинейные кристаллы LBO или KТР или PPLN с угловой или температурной перестройкой угла синхронизма. Твердотельные лазеры с диодной накачкой обладают большими преимуществами перед газовыми и твердотельными лазерами с ламповой накачкой. Они могут работать в различных режимах генерации, обеспечивая высокие КПД, обладают высокой стабильностью излучения при малых массогабаритных параметрах, имеют низкое энергопотребление и высокий срок службы. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к медицине и может быть использовано для лечения патологических сосудистых образований - гемангиом. Проводят ультразвуковое исследование с цветным допплеровским картированием с определением размеров гемангиомы и ее кровенаполнения для установления необходимой глубины введения пункционного манипулятора и наличия региональных сосудов. На ткань сосудистой опухоли одновременно осуществляют воздействие лазерным излучением двух длин волн 0,97 мкм и 1,56 мкм, при суммарной мощности от 4 Вт до 10 Вт, в соотношении мощностей используемых длин волн 2 к 1, соответственно. Сначала лазерным излучением с заданными параметрами, локально осуществляют фотодеструкцию кожи или слизистой на поверхности образования в нескольких точечных зонах, 3-5 мм в диаметре. Через обработанные на поверхности сосудистого образования зоны в ткань сосудистого образования вводят оконечную часть держателя волокна - пункционный манипулятор с нанесенной градуированной шкалой для определения глубины его внутритканевого введения. Осуществляют интерстициальную селективную лазерную фотодеструкцию тканей гемангиомы. При толщине образования до 5,0 мм используют лазерное излучение мощностью от 4,0 Вт до 6,0 Вт. При толщине образования от 5,0 мм до 10,0 мм используют лазерное излучение мощностью от 6,0 Вт до 8,0 Вт. При толщине образования более 10,0 мм используют лазерное излучение от 8,0 Вт до 10,0 Вт. Способ обеспечивает радикальное контролируемое деструктивное воздействие на патологическую сосудистую ткань, включая глубоко расположенную зону наибольшей пролиферативной активности, при сохранении жизнеспособности окружающих тканевых структур. 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 пр.
Изобретение относится к медицинской техники и может быть использовано для лечения туберкулеза, открытых ран, лорзаболеваний и в гинекологии
