Патенты автора Маркелов Алексей Сергеевич (RU)
Изобретение относится к рентгеновской оптике и предназначено для управления соответствующей заданному условию сходимости рентгеновского пучка. Управление осуществляется кривизной рабочей поверхности монокристаллической пластины в составе дифракционного блока, образованного указанной пластиной, выполняющей функцию дифракционного элемента, на котором происходит дифракция рентгеновского пучка по Брэггу, и приклеенной к пластине пьезоэлемента. Пластина имеет напыленные на обе ее противоположные поверхности плоские электроды, для изгиба указанной монокристаллической пластины вместе с пластиной пьезоэлемента при воздействии на последнюю электрического поля. Техническим результатом является возможность изгиба рабочей поверхности монокристаллической пластины за счет дополнительного изменения кривизны рабочей поверхности монокристаллической пластины путем изменения величины напряженности электрического поля, воздействующего на пластину пьезоэлемента, распределенной вдоль ее поверхности, и обеспечивающего одновременный изгиб приклеенных друг к другу и консольно закрепленных монокристаллической пластины и пластины пьезоэлемента. 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам ионно-лучевого синтеза нановключений нитрида галлия в кремнии, и может быть использовано при изготовлении устройств опто- и микроэлектроники нового поколения. Способ ионно-лучевого синтеза нитрида галлия в кремниевой пластине включает последовательную основную имплантацию в кремниевую пластину ионов азота и галлия. Сначала обеспечивают синтез слоя нитрида кремния в кремниевой пластине путём предварительной имплантации ионов азота с дозой в интервале 3⋅1016 ат/см2 – 5⋅1017 ат/см2, c энергией ионов азота, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов азота меньше среднего проецированного пробега ионов азота и галлия при последовательной основной имплантации, и последующий термический отжиг в инертной атмосфере при температуре 900-1200°С в течение 15-60 мин. Затем проводят последовательную основную имплантацию ионов азота и галлия с дозой в интервале 5⋅1016ат/см2 – 5⋅1017 ат/см2 и последующий термический отжиг в инертной атмосфере при температуре 700-900°С в течение 30-60 мин или при температуре 800-1000°С в режиме быстрого термического отжига. В частных случаях осуществления изобретения последовательную основную имплантацию ионов азота и галлия проводят в прямой или обратной последовательности. После последовательной основной имплантации ионов азота и галлия и последующего термического отжига в инертной атмосфере проводят имплантацию ионов азота с энергией, равной энергии ионов азота при последовательной основной имплантации, с дозой, при которой концентрация ионов азота равна или больше концентрации атомов галлия в элементарном галлии. Обеспечивается повышение эффективности образования включений фазы нитрида галлия за счет уменьшения степени выхода имплантированного Ga из пластины кремния, расширяется арсенал технических средств синтеза нитрида галлия в кремнии с использованием широкодоступного серийного стандартного имплантационного оборудования, хорошо совместимого с технологией обработки кремния. 2 з.п. ф-лы, 5 ил., 1пр.
Изобретение предназначено для управления сходимостью рентгеновского пучка. Осуществляется управление сходимостью рентгеновского пучка, получаемого в результате облучения исходным рентгеновским пучком дифракционного блока, путем воздействия электрическим полем на пластину пьезоэлемента. Пластина пьезоэлемента имеет предварительно напыленные на обе противоположные поверхности указанной пластины два электрода и приклеенную к монокристаллической пластине с образованием блока, обеспечивающего получение рабочего профиля монокристаллической пластины, соответствующего требуемой сходимости рентгеновского пучка, за счет изменения кривизны рабочей поверхности монокристаллической пластины. Техническим результатом является расширение возможности изгиба рабочей поверхности монокристаллической пластины, заключающееся в дополнительном изменении кривизны указанной поверхности, за счет продольного смещения максимального прогиба изогнутых приклеенных друг к другу монокристаллической пластины и пластины пьезоэлемента в результате воздействия на пластину пьезоэлемента электрического поля. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.
Использование: для модуляции интенсивности рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что модуляцию интенсивности пучка рентгеновского излучения проводят путем изменения условий отражения рентгеновского излучения от пьезоэлектрического монокристалла в условиях приложения к нему электрического поля, при этом указанное изменение условий отражения рентгеновского излучения осуществляют за счет изменения пьезодеформации упомянутого монокристалла, приводящего к однородному изменению межплоскостного расстояния в кристаллической решетке упомянутого монокристалла, сопровождаемому угловым смещением его кривой дифракционного отражения (КДО), под воздействием постоянного электрического поля, напряженность Е которого изменяют в зависимости от требуемой величины интенсивности отраженного рентгеновского излучения I(θ) в соответствии с заданной формулой. Технический результат: обеспечение возможности оптимальной модуляции интенсивности рентгеновского пучка в режиме брэгговского отражения рентгеновского излучения от пьезоэлектрического монокристалла с малой (от 5 до 25 угловых секунд) полушириной исходной КДО в условиях приложения к нему постоянного (неимпульсного) электрического поля. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 ил.
Изобретение относится к дифракционному блоку для управления сходимостью рентгеновского пучка. Дифракционный блок включает дифрагирующий элемент, выполненный в виде дифрагирующей монокристаллической пластины, и подложку, к которой приклеена указанная пластина с кривизной ее рабочей поверхности, образующей профиль дифрагирующего элемента. Заявленное устройство выполнено с использованием усадки клеевого слоя при его затвердевании. Техническим результатом является стабильное получение заданной кривизны рабочей поверхности дифрагирующей монокристаллической пластины, задающей требуемый вид сходимости рентгеновского пучка при сохранении расширенного амплитудного интервала настроечных температурных изменений полученной кривизны рабочей поверхности дифрагирующей монокристаллической пластины, а также повышение контролируемости формирования требуемого профиля дифрагирующего элемента в результате введения конструктивного стабилизирующего фактора криволинейной поверхности подложки, расположенной с ее стороны, обратной (противоположной) по отношению к ее приклеиваемой стороне. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 пр.,
Изобретение относится к устройству для управления сходимостью рентгеновского пучка. При осуществлении заявленной группы изобретений предусмотрено изменение температуры дифракционного блока, изготовленного с рабочим профилем его дифрагирующего элемента, соответствующим условию коллимации или фокусировки рентгеновского пучка, в соответствии с предлагаемыми двумя вариантами изготовления дифракционного блока, основанными на одновременном изгибе входящих в состав дифракционного блока дифрагирующего элемента и подложки. При этом дифрагирующий элемент выполнен в виде дифрагирующей монокристаллической пластины, искривляемой путем усадки при затвердевании клеевого слоя, нанесенного на подложку и закрепляющего на ней указанную пластину. Техническим результатом является возможность управления сходимостью рентгеновского пучка при сочетании упрощения конструкции дифракционного блока и расширения возможностей настройки коллимации или фокусировки рентгеновского пучка в результате увеличения диапазона угловых изменений сходимости дифрагированного рентгеновского пучка за счет управления сходимостью рентгеновского пучка. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к рентгеновской оптике, а именно к технике управления рентгеновским излучением с использованием рентгеновских монохроматоров, и может найти применение в рентгеновском структурном анализе при исследовании кристаллических структур, в том числе в технике рентгеновской спектрометрии, рентгеновской дифрактометрии, рентгеновской топографии и др
