Патенты автора Шамирян Денис Георгиевич (RU)
Изобретение относится к области микроэлектронной технике. Заявлен способ снижения температурных напряжений при обработке полупроводниковых пластин с развитой по высоте топографией, заключающийся в размещении полупроводниковой пластины стороной, на которой выполнена развитая по высоте топография в виде выступающих частей, разделенных углублениями, на пластине-носителе и ее прикреплении к этой пластине-носителю посредством адгезивного слоя толщиной от 1 до 10 мкм. При этом для увеличения площади контакта полупроводниковой пластины с пластиной-носителем в зонах углублений размещают дополнительные элементы из материала, соответствующего материалу полупроводниковой пластины, которые представляют собой выступающие части с плоскими торцевыми площадками, расположенными в общей плоскости, проходящей через торцевые площадки выступающих частей топографии. При этом обеспечивают общую площадь поверхностей плоских торцевых площадок выступающих частей дополнительных элементов не менее 1 мм2. Технический результат - снижение температурных напряжений в полупроводниковой (кремниевой) пластине с развитой по высоте топографией при ее технологической обработке. 3 н. и 1 з.п. ф-лы, 9 ил.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники. Кремниевая пластина для изготовления микроэлектромеханических систем представляет собой круглой формы в плане диск из кремния, на котором методом наложения маски организованы подлежащие плазмохимическому травлению области для расположения в каждой из них чипа, выполненного с разделенными между собой перемычками по крайней мере двумя участками. При этом на диске со стороны травления разделенные между собой перемычками участки чипа расположены на одинаковом расстоянии от геометрического центра диска. Настоящее изобретение направлено на достижение технического результата, заключающегося в уменьшении локального разброса критических размеров (толщины и/или глубины перемычек между участками в чипе или между чипами в одной области их травления) во время процесса плазмохимического травления. 4 н. и 2 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники. Способ соединения кремниевых пластин МЭМС с изоляционным слоем диоксида кремния между ними заключается в том, что на каждую из противоположно расположенных сторон одной кремниевой пластины методом термического окисления наносят слои диоксида кремния. Затем размещают пластину на опорную поверхность и на поверхности кремниевой пластины производят плазмохимическое травление кремниевой пластины со стороны нанесенного слоя диоксида кремния. Затем к протравленной стороне кремниевой пластины прикрепляют дополнительную кремниевую пластину и после этого осуществляют переворот кремниевой пластины и ее размещение на опорной поверхности через дополнительную кремниевую пластину. И производят плазмохимическое травление кремниевой пластины с другой стороны нанесенного слоя диоксида кремния. Затем дополнительную пластину удаляют, а поверхность контакта с ней кремниевой пластины с рисунком травления очищают растворителем N-метил-2-пирролидон. После этого осуществляют методом термического сращивания соединение указанной кремниевой пластины с другой кремниевой пластиной через слой диоксида кремния, к которому ранее была прикреплена дополнительная пластина. Технический результат: повышение функциональной надежности многослойных МЭМС за счет исключения паразитической проводимости изоляционного слоя диоксида кремния. 2 ил.
Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии
