Патенты автора Дюжев Николай Алексеевич (RU)
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МЭМС УСТРОЙСТВ // 2789668
Изобретение относится к способам герметизации МЭМС устройств. Способ заключается в том, что производят формирование канавок в основании, применение технологии временного бондинга с процессом утонения, заполнение канавок методом атомно-слоевого осаждения материала, при этом вывод соединяющих шин из рабочей области герметизации осуществляют через обратную сторону основания, формирование в основании углубления и рабочей полости производится за счет одного фотошаблона и одного плазмохимического травления, формирование на крышке выступов и области геттера, при этом выступы крышки и углубления основания имеют цилиндрическую форму, одинаковый диаметр и высоту. Технический результат - улучшение герметизации конечного МЭМС устройства. 10 ил.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов, представляющих собой тонкую пластину. Способ временного бондинга пластин для формирования тонких пластин включает нанесение адгезионного слоя на рабочую пластину, нанесение антиадгезионного слоя на пластину-носитель, термокомпрессионное соединение двух пластин, шлифовку или полировку обрабатываемой поверхности рабочей пластины, механическое разъединение рабочей пластины и пластины-носителя, очистку поверхности рабочей пластины органическим растворителем, при этом процесс сушки адгезионного и антиадгезионного слоя выполняют в процессе соединения двух пластин, максимальная температура нагрева пластин не может быть менее температуры перехода адгезионного и антиадгезионного слоев в твердое состояние, и выбирается в зависимости от температурного коэффициента линейного расширения материалов по предложенному соотношению. 5 ил., 1 пр.
Изобретение относится к рентгеновским устройствам, применимым в качестве составной части источника рентгеновского излучения для задач рентгеновской нанолитографии. Изобретение предназначено для апробации концепции рентгеновской литографии на базе источника синхротронного излучения в диапазоне длин волн от 6.6 до 13.5 нм. Матрица состоит из рентгеновских окон и двух слоев, первый из которых имеет более высокую теплопроводность и рассеивает тепло, а второй производит большую часть рентгеновского излучения, генерируемого прострельной мишенью. Причем сформирован дополнительный управляющий компенсационный электрод, препятствующий электростатическому прогибу матрицы прострельных мишеней, при этом первый теплопроводящий слой конструкционно совмещен с рентгеновскими окнами и представляет собой единый элемент - перфорированный анодный электрод. Техническим результатом является возможность создавать многолучевой поток параллельно направленного рентгеновского излучения, генерируемого матрицей прострельных мишеней, в требуемом диапазоне длин волн с повышенной линейной направленностью, что способствует формированию более четкого топологического рисунка с разрешением до 20 нм. 5 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, а конкретнее к оптической профилометрии, и может быть использовано для измерения поверхностного микрорельефа, полученного любым способом в произвольной разнородной структуре, обладающей различными оптическими характеристиками. Сущность изобретения заключается в том, что исследуемую структуру до проведения измерений на оптическом профилометре равномерно покрывают тонким слоем металла, при этом толщина слоя определяется исходя из требования пренебрежимой малости отражения оптического излучения от обратной границы металлического слоя и последующих подслоев. Техническим результатом является возможность измерения топологических структур или рельефной поверхности субдесятинанометрового уровня (диапазона (1,0-10) нм) и расширение номенклатуры материалов поверхностных структур, которые можно контролировать с помощью стандартных оптических профилометров. 2 ил., 2 табл.
Изобретение относится к производству интегральных микросхем и микроэлектромеханических приборов и может быть использовано для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок. Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности кремниевой подложки включает размещение подложки в вакуумной реакционной камере, откачивание реакционной камеры, локальное облучение подложки от внешнего источника, подачу к подложке реагента, из которого на облучаемые локальные области подложки осаждают топологические элементы с трехмерными структурами функционального слоя. Локальное облучение подложки осуществляют с использованием лазера с любой стороны подложки с энергией облучения от внешнего источника, превышающей энергию десорбции осаждаемого материала на ней. Время задержки между включением внешнего источника для локального облучения и началом подачи реагента составляет не менее 100 нc, а осаждаемый материал представляет собой атомы индия или алюминия. Обеспечивается повышение энергоэффективности процесса и повышение равномерности осаждаемого слоя в структуре за счет облучения с любой стороны подложки, снижение себестоимости структуры изделия и сокращения времени осаждения слоя за счет использования одного реагента. 3 ил., 2 пр.
Изобретение относится к рентгеновской технике. Технический результат - повышение интенсивности рентгеновского излучения, увеличение продолжительности срока эксплуатации прибора, расширение перечня излучаемых длин волн, обеспечение возможности выбора количества длин волн и формы рентгеновского излучения. Используют матрицу катодов, сфокусированную на локальной части мишени анода, состоящей из n видов материалов, катоды имеют m разных радиусов кривизны острия. Это обеспечивает возможность выборочной подачи напряжения на отдельный катод из матрицы катодов по результатам расчета количества генерируемых длин волн L рентгеновского источника по формуле L=n×m, причем количество генерируемых длин волн L должно быть не менее количества слоев исследуемой структуры. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.
Суть настоящего изобретения состоит в формировании глубокопрофилированных кремниевых структур последовательными операциями изотропного и анизотропного травления, причем операцию фотолитографии выполняют на кремниевой структуре, используя фоторезист с гидроизоляционными свойствами. Изобретение обеспечивает повышение точности формирования глубокопрофилированных кремниевых структур за счет уменьшения числа используемых материалов. 6 ил.
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО МЕХАНИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПЛЕНКЕ НА ПОДЛОЖКЕ // 2679760
Изобретение относится к способам измерения механических свойств материалов, в том числе механических напряжений, с использованием оптических приборов для анализа напряжений. В ходе реализации способа определяют локальное механическое напряжение в пленке на подложке и двухосный модуль упругости пленки и подложки. Данный подход включает в себя формирование карты толщины подложки, определение кривизны поверхности подложки, формирование карты толщины пленки, расчет механических напряжений по формуле Стони. Определяют постоянные двухосного модуля упругости подложки и пленки с помощью создания избыточного давления. Величину кривизны поверхности определяют посредством геометрического расположения точек рельефа. Технический результат заключается в повышении точности определения механических напряжений и расширении перечня измеряемых механических свойств материалов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов. Суть настоящего изобретения состоит в измерении механических напряжений в МЭМС структурах, включающем формирование пленки-покрытия на основе. Измеряют относительное удлинение пленки-покрытия по изменению величины зазора между краями балок пленки-покрытия посредством микроскопа. Используя одновременно две балки можно проверить результаты измерения механических напряжений, не проводя дополнительных технологических операций по формированию второй (контрольной) балки из пленки-покрытия. Для контрольной балки значения переменных b и bo совпадают со значениями этих переменных для первой (тестируемой) балки. Таким образом, для измерений механических напряжений в двух структурах из пленки-покрытия будут использоваться четыре переменные (b, bo, L, L** - длина контрольной балки после травления фрагмента основы). Технический результат - повышение точности контрольного измерения, обеспечение возможности работы с тестовыми и рабочими пластинами, расширение перечня инструментов для измерения. 2 ил.
СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИНЫ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ // 2666173
Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок. Суть настоящего изобретения состоит в том, что изменяют кривизну поверхности пластины посредством осаждения слоя пленки на пластину, причем используют различные газовые смеси, осаждение проводят с последующим травлением слоя пленки, рассчитывают величину механических напряжений по пластине в локальных областях по формуле Стони, сравнивают значение механических напряжений с контрольным значением механических напряжений σk для успешного выполнения последующей технологической операции, при |σ|<|σk| проводят операцию, при |σ|>|σk| осаждают или травят пленку повторно. 3 ил.
Изобретение относится к устройствам для химического жидкостного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы без использования механических устройств и электроэнергии. Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы содержит рабочую емкость, перфорированные элементы и съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных кристаллов, сокращает потребление энергии, повышает эргономичность устройства, осуществляет возможность формирования кристаллов различной формы. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных участках подложки путем прямого осаждения на них материала. В процессе формирования элементов не используются фотошаблоны и фоторезистивные маски. Задачей настоящего изобретения является повышение воспроизводимости и точности формирования топологических элементов функциональных слоев, а также увеличение производительности и снижение стоимости способа их получения. 3 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов газовых датчиков с диэлектрическими мембранами. Задачей изобретения является повышение выхода годных кристаллов и увеличения рентабельности изделия за счет увеличения механической прочности структуры в целом благодаря освобождению мембраны одной операцией травления подложки в конце технологического маршрута и за счет уменьшения механических напряжений в мембране благодаря использованию чередующихся слоев. 7 ил.
Использование: для регистрации постоянных и переменных магнитных полей. Сущность изобретения заключается в том, что преобразователь магнитного поля состоит из четырех магниторезисторов, выполненных на подложке с окисленным слоем в виде тонкопленочных магнитных полосок с шунтирующими полосками из проводящего материала под углом 45° к продольной оси магниторезисторов, включенных в мостовую схему с помощью тонкопленочных проводников, причем магниторезисторы в местах расположения на них шунтирующих полосок имеют форму, полностью повторяющую форму шунтирующей полоски. Технический результат: обеспечение возможности повышения чувствительности к магнитному полю. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.
СУПЕРКОНДЕНСАТОР НА ОСНОВЕ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ // 2629364
Изобретение относится к твердотельному суперконденсатору и может быть использовано в устройствах хранения энергии разнообразных интегральных микросхем. Суперконденсатор содержит два электрода, размещенный между ними диэлектрический слой, конформно расположенный на нижнем электроде, при этом верхний электрод конформно расположен на диэлектрическом слое, нижний электрод сформирован на профильно-структурированном основании из пористого оксида алюминия или титана. Увеличение плотности энергии суперконденсатора, повышение воспроизводимости формирования структуры с регулируемыми значениями емкости и плотности запасенной энергии является техническим результатом изобретения. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для измерения механических напряжений в МЭМС структурах. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения механических напряжений в МЭМС структурах включает формирование между пленкой-покрытием и основой промежуточного слоя, при этом промежуточный слой может иметь произвольную толщину, измеряют относительное удлинение пленки-покрытия по изменению величины зазора между краем балки и периферией пленки-покрытия посредством растрового электронного микроскопа и рассчитывают механические напряжения на рабочих пластинах по формуле
,где L - длина свободного конца балки после удлинения/сжатия, d0 - зазор между краем балки и областью периферии пленки-покрытия до травления промежуточного слоя, d - зазор между краем балки и областью периферии пленки-покрытия после травления промежуточного слоя, - модуль Юнга покрытия, -коэффициент Пуассона покрытия. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности измерения. 2 ил.
РЕНТГЕНОВСКИЙ ИСТОЧНИК // 2617840
Изобретение относится к рентгеновскому источнику. В заявленном устройстве массивный анод содержит множество сквозных каналов, фокусирующих рентгеновское излучения заданным образом за счет сочетания их направленностей, а также за счет того, что стенки каналов могут содержать материал мишени не по всей длине. Окно источника прилегает к поверхности закрепленного на корпусе анода и не испытывает опасных нагрузок даже при большой площади окна, что снижает требования к материалу окна, которое может быть выполнено достаточно тонким для пропускания рентгеновского излучения. Анод предложенного источника за счет существенной толщины способен отводить к торцам, снабженным средствами теплоотвода, большие потоки тепла. Техническим результатом является увеличение мощности рентгеновского источника. 9 з.п. ф-лы, 3 ил.
ИСТОЧНИК РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2586621
Изобретение относится к области рентгеновской техники. Источник рентгеновского излучения содержит автокатод, рабочей областью которого является кромка круглого отверстия в проводящем слое, а антикатод (анод) выполнен симметричным относительно оси отверстия автокатода в виде фигуры вращения и имеет радиус меньше радиуса этого отверстия. Предложены варианты точечного и матричного интегрального исполнений. Технический результат - увеличение поверхностной излучаемой мощности рентгеновского излучения и срока службы источника. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти. Магниторезистивная ячейка памяти содержит перемагничиваемый и неперемагничиваемый слои, разделенные барьерным слоем, а также средства записи и считывания, при этом дополнительно содержит закрепляющий слой из полупроводникового материала p- или n-типа проводимости, следующий за ним слой из полупроводникового материала противоположного ему типа проводимости, образующие p-n-переход, содержит адресную и разрядную шины, расположенные с двух сторон перечисленных выше слоев ячейки памяти, средства формирования токов записи в адресной и разрядной шинах, средства считывания в виде средства измерения электрического сопротивления ячейки памяти, а также средства задания полярности и величины относительного электрического смещения между адресной и разрядной шинами. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
ИЗМЕРИТЕЛЬ ПОТОКА // 2569951
Изобретение относится к области приборостроения, а именно к устройствам для измерения потоков жидкостей и газов с использованием микроэлектромеханических датчиков. Измеритель потока содержит тело обтекания, датчик потока и средства управления и съема информации. Тело обтекания выполнено с переменным сечением в форме, обеспечивающей ламинарность потока, и выполнено с возможностью задания его положения относительно измеряемого потока, а один или несколько датчиков потока установлены на поверхности тела обтекания заподлицо с ней. Технический результат - увеличение пределов и точности измерения потоков. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ // 2547757
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для использования в приборах измерения давления жидкостей и газов. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции и технологии изготовления датчика давления. Датчик давления содержит измерительный блок, упругую мембрану и, по меньшей мере, один колебательный упругий элемент (резонатор), связанный с мембраной с возможностью изменения его натяжения в соответствии с деформацией мембраны. Мембрана выполнена круглой в плане и, по крайней мере, с одним концентрическим гофром (или несколькими концентрическими гофрами), перекрытым закрепленным на его краях кольцевым резонатором из магнитного материала или с дополнительным магнитным элементом (элементами). Измерительный блок содержит по меньшей мере один электромагнит и выполнен с возможностью возбуждения колебания резонаторов и регистрации их колебаний. 11 з.п. ф-лы, 4 ил.
ВИБРОДАТЧИК // 2535646
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой вибродатчик в микроэлектромеханическом исполнении и может использоваться для регистрации вибрации, в том числе с субмикронной амплитудой, и измерения параметров вибрации. Датчик включает упругий элемент с магниторезистивными датчиками с двух сторон, выполненный с возможностью колебаний в существенно неоднородном поле магнита с плоскими полюсами. Вызываемое вибрацией колебание упругого элемента приводит к изменению сопротивлений магниторезисторов в противофазе, а внешние поля - к синфазному изменению сопротивлений магниторезисторов, что увеличивает чувствительность вибродатчика и расширяет возможности для выделения полезного сигнала. Техническим результатом является повышение чувствительности при малых амплитудах вибрации и уменьшение влияния внешних электромагнитных полей. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
АНЕМОМЕТР // 2535650
Предложенное изобретение относится к микромеханическим системам для измерения потоков жидкостей и газов и определения направления данных потоков. Заявленный анемометр, предназначенный для измерения указанных величин, содержит цилиндр, датчики, расположенные на его поверхности, и блок съема и анализа данных. При этом указанный цилиндр выполнен сплошным или полым с не менее чем двумя продольными полостями на цилиндрической поверхности, покрытыми упругими стенками того же радиуса кривизны, на каждой из которых сформирован по крайней мере один тензодатчик, соединенный с блоком съема и анализа данных. Причем его полости могут сообщаться с внешней средой через фильтр, а его продольные полости могут быть заполнены газом или быть герметичными. Данное изобретение позволяет повысить устойчивость к воздействию внешней среды и существенно уменьшить температурную деградацию его основных элементов. 9 з.п. ф-лы, 2 ил.
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ И КОММУТАТОР // 2532684
Изобретение касается переключателя или коммутатора, содержащего хотя бы один такой переключатель, который содержит бистабильный элемент в МЭМС-исполнении, средства переключения и коммутационный узел. В качестве коммутационного узла использован МДП-транзистор, подвижным затвором которого служит подвижная подпружиненная мембрана с хотя бы одним проводящим элементом над областью канала МДП-транзистора и с включением из магнитного материала. Магнитное включение на мембране может быть выполнено из магнитомягкого или магнитотвердого материала. Для перевода мембраны из одного стабильного состояния в другое на магнитное включение на мембране воздействуют внешним (внешними) или выполненным (выполненными) заодно с переключателем одним или несколькими источниками магнитного поля. Технический результат - создание обладающего высокой надежностью простого в изготовлении и универсального в применении МЭМС-переключателя с фиксированными состояниями, с сохранением состояния в отсутствие питания, не требующего больших напряжений для переключения и не имеющего магнитных контактов. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.
АНЕМОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК // 2522760
Изобретение относится к области микросенсоров, а именно к микроэлектромеханическим системам (МЭМС) для измерения потоков жидкостей и газов - МЭМС-термоанемометрам. Анемометрический датчик содержит чувствительный элемент, выполненный в виде двух и более открытых контролируемому потоку упругих лепестков. Сам чувствительный элемент с электрическими контактами к нему выполнен из пьезоэлектрического материала и выполняет функцию датчика колебаний. Также упругие лепестки имеют разные длины. К чувствительному элементу каждого лепестка соответствующей определенной длины подводится отдельный контакт. Каждой длине соответствует свой динамический диапазон измерения потока и в зависимости от силы потока функционируют определенные лепестки: более длинные регистрируют малые потоки, более короткие - большие за счет разных частот собственных колебаний. Техническим результатом является создание простого в изготовлении анемометрического датчика с низким расходом энергии и малыми размерами, способного определять наличие потока. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫЙ КОММУТАТОР // 2519851
Изобретение относится к области электротехники, в частности к магнитоуправляемым коммутирующим устройствам - коммутаторам тока, используемым в широком диапазоне коммутируемых нагрузок и мощностей. Устройство содержит токопроводящие элементы и магнитное вещество, мостовую перемычку, закрепленную с помощью гибкого подвеса, на которую нанесено магнитное вещество в виде тонкой магнитомягкой пленки на полупроводниковой подложке, на которой сформированы сток и исток МДП-транзистора, а токопроводящие элементы соединены с истоком и стоком МДП-транзистора. Техническим результатом является повышение чувствительности коммутатора, повышение надежности и долговечности. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
МЕМБРАННЫЙ ТЕРМОАНЕМОМЕТР // 2509995
Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам для измерения потоков жидкостей и газов и измерения давления. Техническим результатом является уменьшение паразитной теплопередачи и повышение чувствительности термоанемометра. Мембранный термоанемометр содержит нагреватель и термодатчик, газонаполненную герметичную полость кристалла. Газ в полости имеет диапазон значений теплопроводности не выше, чем одна десятая от теплопроводности материала мембраны. Нагреватель и термодатчик расположены внутри этой полости. Термоанемометр может использоваться в качестве датчика давления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
ТЕРМОАНЕМОМЕТР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2451295
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в процессе измерения параметров потоков жидкостей или газов
