Патенты автора ГУ Шицюнь (US)
Изобретение относится к способам для рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). Путем заполнения воздушного промежутка между слоями многослойного ИС устройства проводящим тепло материалом тепло, генерируемое в одной или более областях внутри одного из слоев, может быть рассеяно в поперечном направлении. Поперечное рассеивание тепла может проходить вдоль всей длины слоя, а проводящий тепло материал может быть электрически изолирующим. Сквозные соединения сквозь кремний могут быть сконструированы в определенных областях, чтобы способствовать рассеиванию тепла от проблемных тепловых областей. Изобретение обеспечивает улучшение рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к многоуровневым интегральным схемам, более точно к системам и методам активного терморегулирования в многоуровневых интегральных схемах
Изобретение относится к системам и способам для обеспечения защиты от электростатического разряда в трехмерных многоуровневых интегральных схемах
Изобретение относится к многослойным интегральным схемам, в которых обеспечено рассеивание тепла от проблемных тепловых областей
Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)
