Патенты автора ВАН Юнган (CN)
Изобретение относится к источнику электронов и источнику рентгеновского излучения, в котором используется указанный источник электронов. Источник электронов содержит по меньшей мере две области эмиссии электронов, в каждой из которых предусмотрено множество электронно-эмиссионных микроблоков; при этом каждый из электронно-эмиссионных микроблоков содержит: базовый слой; изолирующий слой, расположенный на базовом слое; слой сетки, расположенный на изолирующем слое; отверстие в слое сетки; эмиттер электронов, который закреплен на базовом слое и положение которого совпадает с положением отверстия. Электронно-эмиссионные микроблоки в пределах одной области эмиссии электронов электрически соединены друг с другом и могут одновременно испускать или не испускать электроны, а разные области эмиссии электронов гальванически развязаны между собой. Техническим результатом является возможность создания источника электронов, характеризующегося низким управляющим напряжением и током эмиссии большой силы, и источника рентгеновского излучения, в котором используется источник электронов; а также системы формирования изображений, рентгеновской системы обнаружения, оборудования для лучевой терапии под визуальным контролем в реальном масштабе времени и прочих систем, в которых используется источник рентгеновского излучения. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 18 ил.
