Патенты автора Хучунаев Азамат Бузигитович (RU)

Изобретение относится к гидрометеорологии, а именно к способам активных воздействий на теплые и переохлажденные туманы с целью обеспечения благоприятных метеорологических условий для функционирования космодромов, аэропортов и дорожно-транспортных коммуникаций. Осуществляют возгонку исходного активного рабочего вещества с последующим распространением образовавшегося активного газового состава в приземном слое атмосферы. Предварительно формируют состав, где в качестве исходного активного рабочего вещества используют измельченный цинк, который помещают в тугоплавкий сосуд, изготовленный из углеродного материала – графита. Затем сосуд вместе с измельченным цинком нагревают до температуры 900-1000°С и таким образом осуществляют возгонку цинка в присутствии углеродного материала. Получают набор нанотрубок оксида цинка, который смешивают с окружающей воздушной средой и выбрасывают в атмосферу. Обеспечивается повышение эффективности активных воздействий на теплые и переохлажденные туманы и облака, находящиеся в приземном слое атмосферы. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении материалов для электронной техники, присадок для ракетных топлив, катализаторов, смазочных масел и полимерных покрытий. Климатическую камеру 1 предварительно охлаждают холодильной установкой 4 до отрицательных температур. Затем в камеру 1 напускают водяной пар, производимый генератором 5. На естественных ядрах кристаллизации, находящихся в воздухе, искусственно осаждается переохлажденный водяной пар и образуются кристаллы льда, которые осаждаются в сборнике 7 и эвакуируются из камеры 1. Затем в установке 3 методом дугового распыла исходного материала в атмосфере инертного газа получают смесь частиц углеродных наноструктурных материалов с электродуговой сажей. Полученную смесь смешивают со средой камеры 1 и за счет селективной конденсации переохлажденного водяного пара на частицах углеродных наноструктурных материалов получают кристаллы льда. Целевой продукт извлекают осаждением кристаллов льда в сборнике 7, эвакуацией из камеры 1, нагревом и выпариванием воды. Селективную конденсацию ведут при атмосферном давлении и температуре в камере 1 от минус 5°С до минус 35°С и при условии, Ел<е<Ев, где е - упругость водяного пара в камере, Ел и Ев - насыщающая упругость водяного пара над льдом и водой, соответственно. Изобретение обеспечивает простое и безопасное извлечение углеродных наноструктурных материалов. 1 ил.

Изобретение относится к области технических средств, предназначенных для воздействия на переохлажденные облака с целью предотвращения градобитий и искусственного увеличения осадков с использованием самолета

 


Наверх