Патенты автора Мешкова Мария Александровна (RU)

Изобретение относится к медицине, а именно к онкологии и гинекологии. Осуществляют нервосберегающую радикальную гистерэктомию при лечении больных раком шейки матки IA2-IIВ стадии, включающую двустороннюю подвздошно-обтураторную лимфаденэктомию с удалением клетчатки и лимфатических узлов вдоль общих наружных и внутренних подвздошных сосудов от бифуркации общих подвздошных сосудов до пупартовой связки, в области обтураторной ямки и вдоль пупочных артерий с обеих сторон, раскрывают околопузырные и околопрямокишечные клетчаточные пространства с обеих сторон с идентификацией основных элементов тазовой фасции: пузырно-маточная/влагалищная, кардинальная и крестцово-маточная связки. При этом лечение проводят в четыре этапа. На первом этапе определяют околопузырное, околопрямокишечные клетчаточные пространства таза, выполняют мобилизацию матки за счет раскрытия клетчаточных пространств малого таза и определяют локализации нервных структур малого таза, вскрывают брюшину в области пузырно-маточной складки и вдоль круглых связок с обеих сторон до стенок таза, круглые связки пересекают с обеих сторон, используя биполярную коагуляцию у стенок таза, и вскрывают брюшину над параметральными пространствами, околопузырные и околопрямокишечные клетчаточные пространства раскрывают с обеих сторон, одномоментно, в околопрямокишечном пространстве между мезоуретером и внутренними подвздошными сосудами, определяют латеральное параректальное пространство Лацко и обозначают элементы тазовой фасции: пузырно-маточную/пузырно-вагинальную, кардинальную и крестцово-маточную связки, выполняют тазовую лимфаденэктомию – удаляют клетчатку и лимфатические узлы вдоль общих, наружных и внутренних подвздошных сосудов от бифуркации общих подвздошных сосудов до пупартовой связки, в области обтураторной ямки и вдоль пупочных артерий с обеих сторон. На втором этапе определяют пространства Окабаяши, сохраняют гипогастральный нерв в составе мезоуретера и иссекают крестцово-маточные связки, в условиях натяжения матки в каудальном направлении и ректо-сигмоидном отделе толстой кишки в краниальном направлении выполняют одномоментную фиксацию и создают тракцию тканей верх медиальной стенки околопрямокишечной ямки за брюшину широкой связки матки и вентральной части адвентиции мочеточника и с помощью монополярной коагуляции определяют медиальное параректальное пространство Окабаяши, выделяют мезоуретер в эмбриональном аваскулярном слое, мезоуретральную пластинку выделяют от уровня крестца до уровня формирования нижнего гипогастрального сплетения, далее мезоуретральную пластинку отводят латеральнее к стенке таза, после чего крестцово-маточную связку иссекают от уровня крестца с помощью монополярной коагуляции. На третьем этапе определяют нижнее гипогастральное сплетение, иссекают кардинальную связку и между околопузырным и околопрямокишечным клетчаточными пространствами малого таза определяют фиброзно-жировую прослойку – проекция кардинальной связки и нижнего гипогастрального сплетения, далее, поэтапно, с использованием диссектора биполярной коагуляции, малыми порциями пересекают жировую ткань, мелкие сосуды кардинальной связки, маточную артерию, максимально близко к стенке таза и в составе кардинальной связки определяют глубокую маточную вену, которую пересекают в области ее впадения во внутреннюю подвздошную вену, лигируют верхнюю пузырную вену, после чего поэтапно ткани кардиальной связки, включая «крышу тоннеля» - переднюю часть пузырно-маточной связки, отводят к матке, открывая дистальную часть мочеточника в месте его впадения в мочевой пузырь, маточные веточки тазового сплетения пересекают, тазовые внутренностные нервы, исходящие из корешков S2-S4 крестцового сплетения парасимпатической нервной системы, определяют в дне околопрямокишечной ямки и прослеживают до тазового сплетения с помощью движений «рабочим» тупфером в переднезаднем направлении от крестца к кардинальной связке по дну и стенкам околопрямокишечного пространства. На четвертом этапе иссекают заднюю часть пузырно-маточной связки, определяют пузырно-мочеточниковое пространство «пространство Ябуки», а для четкой визуализации задней части пузырно-маточной связки и пузырных веточек тазового сплетения, мочеточник и мезоуретральные ткани смещают латеральнее и отводят кверху, жировую ткань задней части пузырно-маточной связки до уровня пузырных веточек тазового сплетения пересекают, прослеживают мезоуретер с гипогастральным нервом, тазовое сплетение и пузырные веточки, после чего накладывают зажим на паравагинальные ткани и отсекают влагалище на уровне верхней и средней третей. Способ позволяет сохранить следующие вегетативные нервные сплетения малого таза в пределах интрафасциальных клетчаточных пространств: гипогастральные нервы, тазовые внутренностные нервы S2-S4, нижнее гипогастральное или тазовое сплетение, включая пузырные веточки, что улучшает функциональные результаты оперативного вмешательства. 2 ил., 1 пр,

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что проводят измерения информативного электрического параметра или параметров при нормальной температуре, после 100 ч электротермотренировки в режиме проведения испытаний на безотказность по техническим условиям, после проведения воздействия электростатическим разрядом допустимым напряжением, указанным в технических условиях, по пяти разрядам в обоих направлениях и затем проведение температурного отжига при максимально допустимой температуре по ТУ в течение 2-4 ч. По результатам испытаний и измерений определяют для каждого изделия коэффициент К, по которому определяется изделие пониженной надежности. Технический результат: повышение достоверности и расширение функциональных возможностей способа отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности качества из партии изделий повышенной надежности.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к контролю качества полупроводниковых приборов

 


Наверх