Патенты автора Бисярин Николай Николаевич (RU)
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени травления. В способе определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для удаления пленок с немаскированных поверхностей и получения чистой поверхности осуществляется травление нескольких пластин в течение разных длительностей времени, определяются количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин и определяется длительность времени травления по времени травления пластины с минимальным количеством загрязняющих примесей на поверхности, при этом определение количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин производится зондированием поверхностей ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ, плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90° и по энергиям и величинам максимумов в спектре определяется соответственно тип и количество загрязняющих примесей. 1 ил.
Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ определения атомного состава активных примесей в жидких средах заключается в подготовке анализируемого объекта и размещении его в вакууме. Затем осуществляют облучение поверхности пучком заряженных частиц и регистрацию вторичных частиц, по которым определяют состав атомов поверхности. При этом подготовку анализируемого объекта осуществляют подготовкой поверхности полупроводниковой пластины химическим травлением, обработкой в перекисно-аммиачном растворе и отмывкой в деионизованной воде. На подготовленную поверхность чистой полупроводниковой пластины наносят каплю анализируемой жидкости размером не менее микрона на поверхность, затем ее удаляют, а для анализа облучают пучком заряженных частиц след удаленной капли. Технический результат направлен на повышение экспрессности анализа, а также на улучшение предела обнаружения, в частности, не менее чем 10-100 раз.
СПЕКТРОМЕТР ПОДВИЖНОСТИ ИОНОВ // 2455725
Изобретение относится к области газового анализа и может использоваться для определения микропримесей различных веществ в газах
