Патенты автора Таравков Михаил Владимирович (RU)

Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2791863

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и многослойный балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Число слоев каждого участка многослойного балластного резистора n≥2, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке, толщины верхних слоев участков многослойного балластного резистора возрастают по направлению от металлизации эмиттера к противоположному краю резистора. Изобретение обеспечивает предотвращение перегрева транзисторной структуры в переходных режимах за счет перераспределения выделяемой нагретыми до критической температуры участками активной области тепловой мощности и повышение отказоустойчивости транзисторной структуры в переходных режимах. 2 ил., 1 пр.

Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2789511

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура согласно изобретению содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода, при этом балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке, толщина верхнего слоя увеличивается в продольном направлении от эмиттерной металлизации. Изобретение обеспечивает повышение отказоустойчивости транзисторной структуры в переходных режимах, которая достигается за счет наличия верхнего слоя многослойного балластного резистора с отличающейся от нижних слоев формой продольного сечения и переменной толщиной, что приводит к снижению инерционности процесса увеличения сопротивления участков многослойного балластного резистора в переходных режимах и в целом сопротивления балластного резистора rБР и входного сопротивления транзисторной структуры Rвх1, по мере превышения температурой контактирующих с резистором активных областей значений температур плавления слоев Т1, затем Т2 и т.д. и, как следствие, более раннему началу процесса увеличения сопротивления балластного резистора и снижения выделяемой активными областями транзисторной структуры тепловой мощности. 2 ил.

Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2743675

Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Балластный резистор содержит фрагменты с температурным коэффициентом сопротивления располагающиеся так, что при наличии градиента температуры больший ток протекает по активным областям транзисторной структуры с лучшими условиями отвода тепла, а температурные коэффициенты сопротивления материалов и их температуры плавления удовлетворяют некоторому условию. Техническим результатом изобретения является повышение отказоустойчивости транзисторной структуры за счет повышения ее максимальной рабочей температуры и устойчивости к увеличению температуры активных областей структуры вследствие отклонения параметров режима усиления (напряжения питания, уровня входной мощности, коэффициента стоячей волны в нагрузке и т.д.) от оптимальных значений за счет наложения ограничения на температуры плавления материалов балластного резистора и его фрагментов в зависимости от соотношения их ТКС. При увеличении температуры изобретение обеспечивает перераспределение выделяемой активными областями тепловой мощности в сторону ее увеличения для участков с лучшими условиями отвода тепла. 2 ил.

Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2743673

Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке. Техническим результатом изобретения является повышение отказоустойчивости транзисторной структуры за счет повышения ее устойчивости к увеличению температуры участков активной области структуры вследствие отклонения характеристик режима усиления от штатных значений, например, при рассогласовании оконечного каскада усилителя мощности с нагрузкой. При достижении температурой критического значения изобретение обеспечивает уменьшение выделяемой участками активной области транзисторной структуры мощности за счет скачкообразного увеличения сопротивления наиболее разогретых участков балластного резистора вследствие испарения их верхних слоев и входного сопротивления структуры в целом. 2 ил.

Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2743674

Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем - с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке. Техническим результатом изобретения является повышение отказоустойчивости транзисторной структуры за счет повышения ее устойчивости к увеличению температуры активных областей структуры вследствие отклонения характеристик режима усиления от штатных значений, например при рассогласовании оконечного каскада усилителя мощности с нагрузкой. При превышении температурой некоторого критического значения изобретение обеспечивает уменьшение выделяемой активными областями мощности за счет скачкообразного увеличения сопротивления балластного резистора вследствие испарения его верхнего слоя и входного сопротивления структуры в целом. 2 ил.

МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА // 2464669

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов

МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА // 2457576