Патенты автора БУГГЕ Ренато (NO)
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих пограничные слои между материалами из III-V групп и подложкой Si. Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих GaAs в комбинации с подложками Si(111), причем остаточная деформация, обусловленная различными коэффициентами теплового расширения соответствующих материалов, нейтрализуется посредством введения добавочного слоя (слоев), компенсирующего остаточную деформацию. Так, в заявленном способе эпитаксиального выращивания на пластине Si(111) формируют первый слой материала III-V с первой постоянной кристаллической решетки, а затем второй слой материала III-V со второй постоянной кристаллической решетки, при этом вторая постоянная кристаллической решетки меньше, чем первая постоянная кристаллической решетки. Способ обеспечивает нейтрализацию остаточной деформации в полупроводниковых материалах. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 13 ил.
Изобретение относится к системам сигнализации и основано на использовании четырехкомпонентного настраиваемого лазера, работающего в средней части инфракрасного (ИК) диапазона для одновременного измерения и частиц, и газа
