Патенты автора Иванов Олег Андреевич (RU)
Изобретение относится к области электротехники, а именно к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам, используемым в качестве автоэмиссионных катодов, к вакуумным триодам, диодам и устройствам на их основе, а также полевым эмиссионным дисплеям и вакуумным микроэлектронным переключателям токов. Разработка автоэмиссионного эмиттера (катода), обладающего высокими эмиссионными характеристиками (высокой плотностью тока при низком напряжении эмиссии), высокой стабильностью тока при продолжительном ресурсе службы, является техническим результатом изобретения, который достигается тем, что автоэмиссионный эмиттер с нанокристаллической алмазной пленкой расположен на подложке из проводящего кремния, выполнен в виде вертикально расположенной трубки с тонкими стенками из однослойной проводящей нанокристаллической алмазной пленки или из двухслойной нанокристаллической алмазной пленки, внутренний слой которой является проводящим, а внешний – непроводящим. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
АЛМАЗНЫЙ ФОТОКАТОД // 2658580
Изобретение относится к фотокатодам, работающим в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, которые могут быть использованы в фотоинжекторах электронов для ускорителей кильватерного типа, лазеров на свободных электронах, а также для электронно-оптического преобразования сигналов в различных электронных устройствах. Согласно изобретению предложен алмазный фотокатод на основе многослойной конструкции из последовательно расположенных слоев монокристаллического алмаза. Алмазный фотокатод содержит слой (подложку) из монокристаллического алмаза, оптически прозрачный для входного излучения, сильнолегированный донорами или акцепторами слой, в котором происходит поглощение входного излучения и образование фотоэлектронов; транспортный слой, через который осуществляется движение (диффузия и дрейф) фотоэлектронов к поверхности и их термализация, а также обладающий p-типом проводимости поверхностный слой с пониженной работой выхода, обеспечивающий эффективную эмиссию фотоэлектронов в вакуум и препятствующий заряду эмитирующей поверхности. При этом к транспортному слою может быть приложено напряжение, способствующее дрейфу фотоэлектронов к поверхности фотокатода. Алмазный фотокатод обладает высокой квантовой эффективностью в ультрафиолетовой и видимой областях спектра (>250 нм) и быстродействием, способен продолжительное время стабильно работать при относительно низком уровне вакуума 10-5-10-6 Торр и высоких токах эмиссии, обладает высокой теплопроводностью, обеспечивающей эффективный теплоотвод и охлаждение фотокатода, и способен эмитировать пучки фотоэлектронов с малым энергетическим разбросом за счет их термализации в транспортном слое. Конструкция алмазного фотокатода обеспечивает хорошую воспроизводимость эмиссионных характеристик и однородность эмиссии. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к электронике больших мощностей
