Патенты автора Беглов Владимир Иванович (RU)
Зеркальная сферическая антенна // 2753995
Изобретение относится к радиотехнике, а именно к зеркальным антеннам для связи между объектами на земле и в космосе. Техническим результатом является повышение эффективности излучения зеркальной сферической антенны. Технический результат достигается тем, что зеркальная сферическая антенна, содержащая зеркало, излучатель в виде диполя Герца, состоящего из двух шаров, питаемый коаксиальным фидером, причем излучатель расположен в фокусе зеркала, в отличие от прототипа выполнена так, что зеркало является сферическим и дополнительно введено второе сферическое зеркало, направленное в противоположную сторону от первого зеркала, при этом излучатель в виде диполя Герца разделен на две части, первая половина излучателя в виде шара радиусом, равным одной восьмой длины волны, расположена в фокусе первого сферического зеркала, а вторая половина излучателя в виде шара радиусом одна восьмая длины волны расположена в фокусе второго сферического зеркала, а размер фокуса сферических зеркал равен четверти длины волны излучения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области теплофизических измерений и может быть использовано для измерения коэффициента температуропроводности тонких слоев материалов. Предложен способ определения коэффициента температуропроводности тонких слоев материалов, включающий импульсное тепловое воздействие на поверхность плоского образца и регистрацию зависимости температуры поверхности образца, противоположной подвергнутой нагреву, от времени с момента начала теплового воздействия с последующим расчетом коэффициента температуропроводности. Тепловой импульс воздействует на кольцевую периферийную область поверхности образца. Регистрируют время достижения половины максимального значения температуры в центре образца с последующим расчетом значения коэффициента температуропроводности по формуле: a=К/τ1/2, где τ1/2 - время достижения половины максимального значения температуры в центре образца; К - коэффициент, не зависящий от материала образца и его толщины, рассчитываемый по формуле: K=τ1/2Э·a
Э, где τ1/2Э - время достижения половины максимального значения температуры в центре образца с известным значением коэффициента температуропроводности a
Э. Технический результат - повышение точности измерений коэффициента температуропроводности тонких слоев материалов. 3 ил.
Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано в производстве газоразрядных источников света высокого давления
