Патенты автора МОРИ Томохико (JP)

Нитридное полупроводниковое устройство включает в себя нитридный полупроводниковый слой, изолирующую пленку затвора, электрод истока, электрод стока и электрод затвора. Нитридный полупроводниковый слой включает в себя первый слой основания, второй слой основания, дрейфовый слой, первый истоковый слой и второй истоковый слой. Дрейфовый слой включает в себя первый дрейфовый слой, который проходит от позиции касания с нижней поверхностью первого слоя основания до позиции касания с нижней поверхностью второго слоя основания, и слой ослабления электрического поля, который соприкасается с нижним крайним участком боковой поверхности первого слоя основания и нижним крайним участком боковой поверхности второго слоя основания, соприкасается с первым дрейфовым слоем и имеет концентрацию примеси второго типа электропроводности ниже, чем у первого дрейфового слоя. Изобретение обеспечивает нитридное полупроводниковое устройство вертикального типа, приспособленное для ослабления электрического поля, окружающего нижний крайний участок слоя основания на стороне промежуточного участка, и способ производства такого устройства. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 15 ил.

Переключающий элемент включает в себя полупроводниковую подложку, которая включает в себя первый слой полупроводника n-типа, базовый слой р-типа, образованный эпитаксиальным слоем, и второй слой полупроводника n-типа, отделенный от первого слоя полупроводника n-типа базовым слоем, изолирующую пленку затвора, которая покрывает зону, перекрывающую поверхность первого слоя полупроводника n-типа, поверхность базового слоя и поверхность второго слоя полупроводника n-типа, а также электрод затвора, который расположен напротив базового слоя в пределах изолирующей пленки затвора. Граница раздела между первым слоем полупроводника n-типа и базовым слоем включает в себя наклонную поверхность. Наклонная поверхность наклонена таким образом, что глубина базового слоя увеличивается при увеличении расстояния в горизонтальном направлении от края базового слоя. Наклонная поверхность расположена под электродом затвора. Изобретение обеспечивает более эффективное ослабление электрического поля, воздействующего на изолирующую пленку затвора. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к устройствам отображения

 


Наверх